氧化率的影响
发布时间:2015/10/28 21:01:30 访问次数:814
原始的氧化厚度与时间的曲线是由<111)晶格方向及未掺杂的晶圆所决定的。4 J。MOS器件是在掺杂后的(100>晶格方向的晶圆表面…l制造的。K4M56163PF-BG75这两个因素在特定的温度和氧化剂环境中影响氧化率。其他影响氧化率的因素包括在多晶硅层中有意地使氧化物和氧化不纯，如加入氯化氢。
晶格方向：晶格方向对氧化生长率有影响。<111)晶圆比<100)晶圆有更多的原子。更大量的原子使得氧化层生长得更快。图7. 13表示两个不同的晶格方向在水蒸气中有不同的氧化生长率：这种不同在低温时的线性阶段表现得尤为突出。
原始的氧化厚度与时间的曲线是由<111)晶格方向及未掺杂的晶圆所决定的。4 J。MOS器件是在掺杂后的(100>晶格方向的晶圆表面…l制造的。K4M56163PF-BG75这两个因素在特定的温度和氧化剂环境中影响氧化率。其他影响氧化率的因素包括在多晶硅层中有意地使氧化物和氧化不纯，如加入氯化氢。
晶格方向：晶格方向对氧化生长率有影响。<111)晶圆比<100)晶圆有更多的原子。更大量的原子使得氧化层生长得更快。图7. 13表示两个不同的晶格方向在水蒸气中有不同的氧化生长率：这种不同在低温时的线性阶段表现得尤为突出。
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