负光刻胶显影
发布时间:2015/11/1 18:49:06 访问次数:1860
在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理.j负光刻胶暴露在光线下,L2B0786会有一个聚合的过程,它会阻止光刻胶在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率,使得聚合的区域光刻胶几乎没有损失。大多数负光刻胶显影是用二甲苯作为显影液,它还被用做负光刻胶配方中的溶液。
显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶,通常使用凡一醋酸丁酯作为冲洗化学品,因为它既不会使光刻胶膨胀也不会使之收缩,从而不会导致图案尺寸的改变。对具有台阶图案的晶圆,可能使用一一种性质较温和的Stoddard溶剂。
有几个方法用于光刻胶显影.方法的选择依据包括光刻胶极性、特征图形尺寸、缺陷密度的考虑、要刻蚀层的厚度以及产能。
沉浸式显影:沉浸式是最古老的显影方法。在这种最简单的方式 图9.5显影方法中,在耐化学腐蚀的传输器中的晶圆被放进盛有显影液的池中一定时间,然后再被放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗(见图9.6)。这种简单的湿法过程的问题如下:
1.液体的表面张力阻止r化学液体进入微小开孔区。
2.部分溶解的光刻胶块会粘在晶圆表面。
3.随着几百片晶圆处理过后化学液池会被污染。
4.当晶圆被提出化学液面时会被污染。
5.显影液(特别是正显影液)随着使用会被稀释。
6.为了消除1、2和3的问题需要经常更换化学液从而增加了成本。
7.室温的波动改变溶液的显影率。
8.晶圆必须迅速送到下一步进行干燥,这就增加了一个工艺步骤。
经常在化学液池上增加附属方法来提高显影工艺。通过使用机械搅动的办法来辅助增加均匀性邗对微小开孔区的渗透。一种流行的系统由置于池内的用聚四氟乙烯( Teflon)密封的磁体tj池外呵产生旋转磁场的装置构成。
搅动也呵用向液体施加超声波或兆频超声波的方法来实现。超声波可产生气穴现象。波中的能量使液体分离成微小的空洞,随即空洞会破裂( cavitation)。成千上万个微小空洞的快速产生和破裂会产生均匀显影并有助于液体渗透进微小的开孔区。在兆频超声波范围(IMH:)的声波能量会减小粘在晶圆表面的迟钝的界线层【纠。另外也通过对液体池进行加热和温度控制来增强均匀的显影率。
在光刻胶上成功地使图案显影要依靠光刻胶的曝光机理.j负光刻胶暴露在光线下,L2B0786会有一个聚合的过程,它会阻止光刻胶在显影液中分解。在两个区域间有足够高的分解率,使得聚合的区域光刻胶几乎没有损失。大多数负光刻胶显影是用二甲苯作为显影液,它还被用做负光刻胶配方中的溶液。
显影完成前还要进行冲洗。对于负光刻胶,通常使用凡一醋酸丁酯作为冲洗化学品,因为它既不会使光刻胶膨胀也不会使之收缩,从而不会导致图案尺寸的改变。对具有台阶图案的晶圆,可能使用一一种性质较温和的Stoddard溶剂。
有几个方法用于光刻胶显影.方法的选择依据包括光刻胶极性、特征图形尺寸、缺陷密度的考虑、要刻蚀层的厚度以及产能。
沉浸式显影:沉浸式是最古老的显影方法。在这种最简单的方式 图9.5显影方法中,在耐化学腐蚀的传输器中的晶圆被放进盛有显影液的池中一定时间,然后再被放入加有化学冲洗液的池中进行冲洗(见图9.6)。这种简单的湿法过程的问题如下:
1.液体的表面张力阻止r化学液体进入微小开孔区。
2.部分溶解的光刻胶块会粘在晶圆表面。
3.随着几百片晶圆处理过后化学液池会被污染。
4.当晶圆被提出化学液面时会被污染。
5.显影液(特别是正显影液)随着使用会被稀释。
6.为了消除1、2和3的问题需要经常更换化学液从而增加了成本。
7.室温的波动改变溶液的显影率。
8.晶圆必须迅速送到下一步进行干燥,这就增加了一个工艺步骤。
经常在化学液池上增加附属方法来提高显影工艺。通过使用机械搅动的办法来辅助增加均匀性邗对微小开孔区的渗透。一种流行的系统由置于池内的用聚四氟乙烯( Teflon)密封的磁体tj池外呵产生旋转磁场的装置构成。
搅动也呵用向液体施加超声波或兆频超声波的方法来实现。超声波可产生气穴现象。波中的能量使液体分离成微小的空洞,随即空洞会破裂( cavitation)。成千上万个微小空洞的快速产生和破裂会产生均匀显影并有助于液体渗透进微小的开孔区。在兆频超声波范围(IMH:)的声波能量会减小粘在晶圆表面的迟钝的界线层【纠。另外也通过对液体池进行加热和温度控制来增强均匀的显影率。
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