完成晶圆电测后，K4D263238F-QC50晶圆进入封装工艺，又称为封装( assembly)与测试(test)。在那里它们被切割成单个芯片并被封装进保护性外壳中。这一系列步骤中也包含多次目检和封装T艺制程的质量检查。

   在封装r艺完成后，封装好的芯片会经过一系列的物理、环境和电性测试，总称为最终测试( final test)（工：艺、检测和最终测试的细节将在第18章中介绍）。最终测试后，第i个主要良品率被计算出来，即最终测试的合格芯片数与晶圆电测合格芯片数的比值。

   整体工艺良品率

   整体工艺良品率是3个主要良品率的乘积（见图6. 15）。这个数字以百分数表示，给出r出货芯片数相对最初投入晶圆上完整芯片数的百分比。它是对整个工艺流程成功率的综合评测。

   整体良品率随几个主要的因素变化。图6. 16列出r典型的工艺良品率和由此计箅出的整体良品率。前两列是影响单一工艺及整体良品率的主要工艺制程因素。

   第一列是特定电路的集成度。电路集成度越高，各种良品率的预期值就越低。更高的集成度意味着特征图形尺寸的相应减小。第二列给出了生产工艺的成熟程度。在产品生产的整个生命周期内，工艺良品率的走势几乎都呈现出S曲线的特性。开始阶段，许多初始阶段的问题逐渐被解决，良品率上升较缓慢。接下来是一个良品率迅速上升的阶段，最终良品率会稳定在一定的水平上，它取决于工艺成熟程度、芯片尺寸、电路集成度、电路密度和缺陷密度共同作用。图6. 16中的数据显示，对于简单成熟的产品，整体良品率可能在很低的良品率（对于设计很差的新产品可能会是零）到90%的范围内变化．，半导体制造商把它们的良品率水平视为机密信息，因为从工艺良品率直接就可以得出相应的利润和生产管理水平。