采取有针对性的措施改变LED的器件结构和生产I艺可以很大程度上提高其抗静电能力。K4D263238F-QC50主要从两个方面进行考虑:①减小缺陷密度;②减小扩散电流。以GaN基LED为例,在芯片中添加不同厚度的p型A1GaN电子阻挡层(即EBL),这样增加了电子阻挡层的厚度,从而提高芯片的抗EsD能力。由于低温生长工艺,以及应力都会引起位错缺陷,如果这种缺陷不能得到有效控制,穿过InGaN-GN多量子阱(MQW)的线位错会导致大量表面缺陷,从而影响芯片承受EsD的能力。而更后的少AlGaN EBL层能对InGaN-GN多量子阱表面缺陷起到一定程度的填充作用,所以添加阻挡层能提高LED的抗静电能力。研究表明,在正向压降和LED光输出功率保持基本不变的情况下,如果将GaN基LED中p-A1GaN阻挡层厚度从32.5nm提高到130nm,芯片的承受能力将从1500V提升到ω00V。

   另外,有研究表明,在1040℃条件下,生长⒉GaN层会比⒇0℃条件下生长的少GaN具有更好地抑制多量子阱中缺陷的能力,从而提高LED芯片的抗静电的能力。通过改善工艺来控制缺陷密度,能有效提升LED芯片的抗EsD能力。如果在GaN基LED芯片中掺入调制掺杂的AlC・aN/GaN超晶格,当LED芯片遭受静电冲击时,这种结构能够有效地引导冲击电流,使这个脉冲电流在AlGaN/GaN结构的二维电子气中沿横向方向上传导,使得脉冲电流的密度分布更加均匀,从而使LED的PN结被击穿的可能性得到很大的降低。虽然这样的AlGaN/GaN超晶格结构产生的横向电流引导能够有效地改善芯片ESD保护能力,但是,这种结构也会导致LED的发光量略有降低,因此使得LED的发光效率降低。