最简单的LED EsD保护电路由并联一个反向二极管构成,这个二极管使反向的静电电能释放掉, 263238G-VC2A使过量电流通过二极管流向大地。但在LED芯片的内部集成这种保护二极管,会影响LED的发光效率,导致这种影响的主要原因是二极管的电极会阻挡光的输出。如果采用倒装式的LED封装技术,或者ITo透明电极技术,这种阻挡影响就会减小,从而使发光效率得到改善。当然,用于集成LED内的这种保护二极管需要满足一定的参数条件,否则就会对LED的正常工作造成影响。虽然理论分析发现,提高掺杂浓度会影响到LED的抗静电能力,但是也会影响LED的频率响应速度,需要在提高抗静电能力和减小频率影响之间做适当的选择。

   同时,还可以采用在LED外并联一个外置的齐纳工极管来保护LED,以增强LED的抗静电能力。要在保护LED的同时,不对LED的正反⒈V特性造成太大的影响,对齐纳二极管进行选取时就必须满足一定的条件,即齐纳二极管的反向电压要高于LED的正向工作电压。如果正向工作电压高于LED的反向击穿电压,这个齐纳二极管就会影响LED的正常工作。