用来控制每个液晶单位是否偏扭转及偏转的角度大小。其上下夹层的电极为FET电极和共通电极,在FET电极导通时,液晶分子排列状态发生偏转, HD44100H这样可通过遮光和透光达到显示的目的。

   该工序主要用于制造TFT基板及彩色滤光片(CF基板),流程如下:

玻璃清洗一→成膜-→清洗一→光刻胶涂布一→曝光一→刻蚀一→光刻胶剥离一→清洗一→测试TFT的制造过程如图6-108所示,分坚膜、清洗、Photo、刻蚀、脱膜、检测六大工序。

   坚膜工序

   坚膜工序如图6-109所示,是指对Ga坨电极、D扯a(“urcc/I,rain)电极、像素电极、绝缘膜、保护膜以及半导体膜,以物理或化学方法,使其在Glass(玻璃)上形成膜的工序。Gatc电极、Data(⒌urce/Dr缸n)电极、像素电极是金属物原(铝、铬、IT0、钼),利用跏utteⅡng(溅射)物理方法,在%rget(主要是金属)和Glass之间的Plasma(离子区),将Ta喟et物质贴在GIass上。Plasma(离子区)是在两个电极之间注人的不活性Gas上施加高电压,从而离子化生成的。离子化的不活性Gas在Target上冲击,脱掉的Target物质移到αass而形成膜。

   绝缘膜、保护膜、半导体膜是利用化学方式的PECⅤD(Plasma Enhanced Che而∞lⅤ扯por Depo⒍tion)工序,即利用在两个电极之间注人Gas之后施加高频率电源而生成的Pla⒌ma(等离子),在Gla$上生成膜的方式。