光学邻近效应校正的种类有线条偏置法、形状调整法、加衬线法、微型灰度法。例如,SD42560E根据线条在掩膜中的结构对它的局部宽度进行调整,或者在线条两边或内部根据周围图形排布情况增加透光或不透光的辅助线条,以有效保证线宽的同一性;预增长线条在掩膜上的长度,或者在线条线端上加锤头状辅助图形等,以减小线端的回缩;对拐角图形依其凸凹状况在掩膜上加辅助小图形做增添或挖补 修正,以改善图像在硅片上的形状,使之符合设计电路的要求。在相同的生产条件下使用这种技术后,能用现有的光刻设各制造出具有更小特征尺寸的集成电路。特征尺寸减小到小于曝光波长时,光学邻近效应校正技术就成为了必不可少的需求。原则上说,邻近效应不能完全校正,只能做到适当补偿。

   各种光学邻近效应校正方法从校正结果来看各有其适用的范围。线条偏置法较为简单易用,但基本上是利用经验来预畸变掩膜,在离焦的情况下其校正效果受到限制,与灰阶掩膜和灰阶编码掩膜相比,其掩膜设计加工和投影曝光工艺又相对简单。添加亚分辨辅助线条法可有效地调整像面光强分布,对于减小密集的和孤立的图形的CD偏差,以及改善线端部缩短和角部圆化是相对简单而有效的方法,当掩膜设计和加工精度较高时,可收到较好的校正效果。灰阶掩膜和灰阶编码掩膜的优点在于可实现邻近效应的精细校正,设计也较为灵活,并具有辅助线条和偏置方法的优点,但编码制作精度要求高,掩膜的加工时间相对要长一些,不易控制,并需加大曝光剂量,因此一般在精细邻近效应校正时应用。

   总之,邻近效应的校正应根据对光刻图形质量及曝光焦深的不同要求,并考虑掩膜加工I艺的难易程度来灵活选择校正方法,并通过优化抗蚀剂I艺,控制曝光量和调整掩膜偏差减小光学邻近效应。光学邻近效应校正掩膜的优化设计是至关重要的,一般采用上述OPC校正方法,预先设计出一个初始OPC掩膜,用光刻模拟软件进行仿真计算,比较模拟结果与实际所需要的光刻胶图形,再对初始OPC掩膜进行结构修正,之后再模拟、比较和再修正,直到得到满意的OPC掩膜。