在ULSI工艺中,主要用到两种基本的⒊lN扌:一种是在二氧化硅层上通过LPCVD淀积弘N4薄膜,OPA244NA然后经过光刻和干法刻蚀形成图形,作为接下来氧化或扩散的掩蔽层,但是并不成为器件的组成部分。它产生按⒏3N4组分比的氮化硅膜。由于这类氮化硅薄膜的下面有一层氧化硅,所以要求具有对氧化物的高选择比。常用的主要气体是CF4,并与02、N2混合使用。增加o2、N2的含量来稀释氟基的浓度并降低对下层氧化物的刻蚀速率,可以获得高达120oA/l.lln的刻蚀速率,以及对氧化物的大约⒛:1的高选择比。另一种是通过PECX/lD淀积弘N4作为器件保护层。这层凯N4在经过光刻与干法刻蚀之后,氮化硅下面的金属化层露了出来,就形成了器件的压焊点,然后就可以进行测试和封装了。对于这种凯N1薄膜,使用CF4 02等离子体或其他含有氟原子的气体等离子体进行刻蚀就可以满足要求。

   实际上,用于刻蚀s02的方法都可以用来刻蚀凯N4。由于⒏ N键的结合能介于⒊ O键与⒏ s键之间,所以氮化硅的刻蚀速率介于刻蚀⒏o和刻蚀s之间。这样,如果对⒏3N4/Sio2的刻蚀中使用C凡或是其他含氟原子的气体等离子体,对S屯N^/So2的刻蚀选择性将会比较差。如果使用CHF3等离子体来进行刻蚀,对⒊o2/s的刻蚀选择比可以在10以上。而对弘N1/⒏的选择比则只有3~5,对战N1/SiO2的选择比只有2~4。