光学邻近效应是指在光刻过程中,由于掩膜上相邻微细图形的衍射光相互干涉而造成像面光强分布发生改变,使曝光得到的图形偏离掩膜设计所要求的尺寸和形状,如图10△5所示是光学邻近效应的示意图。SCDS74T-270M-N这些畸变将对集成电路的电学性质产生较大的影响。光刻图形的特征尺寸越接近于投影光学光刻系统的极限分辨率,邻近效应就 越明显。

   光学邻近效应校正技术,是在掩膜设计时采用将图形预先畸变的方法对光学邻近效应加以校正,使光刻后能得到符合设计要求的电路图形。如图1016所示为采用线条偏置法校正光学邻近效应的掩膜图形。不同的图形结构有不同的校正方法。到目前为止,已经有一些标准的光学邻近效应校正结构用于集成电路掩膜图形的设计制作中,用以提高光刻分辨率,从而增加硅片表面电路设计的密度,满足芯片集成度不断提高和特征尺寸不断缩小的需求。