埋层的制备

   为了减少双极型晶体管收集区的串联电阻,并减少寄生plllD管的影响,在作为双极型晶体管的收集区的外延层和衬底间通常需要制作埋层。首先在衬底上生长二氧化硅,并进行M054LBN第一次光刻,刻蚀露出埋层区域,然后注入n型杂质(磷、砷等),随后退火激活杂质。

   埋层杂质的选择原则是:首先是杂质在硅中的固溶度要大,以降低收集区串联电阻;其次是希望在高温下,杂质在硅中的圹散系数小,以减小外延时的杂质扩散效应;此外还希望与硅衬底的晶格匹配好,以减少应力。研究表明,最理想的埋层杂质是As。

   外延层的生长

   用湿法去除全部二氧化硅层后,外延生长一层轻掺杂的硅。该外延层将作为双极型晶体管的收集区,整个双极型晶体管便是制作在该外延层上。

   生长外延层时需要考虑的主要参数是外延层的电阻率ρ。和外延层的厚度飞。为了减小结电容、提高击穿电压B⒕R)、并降低后续热过程中外延层中杂质的外推,ρe,应该高一些,而为了降低收区串联电阻又希望ρ"低一些。囚此ρ。需要加以折中选择。一般外延层的厚度需要满足以下要求:外延层厚度。基区掺杂的结深+收集区厚度+埋层上推距离+后续各工序中生长氧化层所消耗的外延层厚度。