恒定表面源扩散是指在扩散过程中,硅片表面的杂质浓度Cs始终是保持不变的。恒定表面MAX4845ELI+T源扩散是将硅片处于恒定浓度的杂质氛围之中,杂质扩散到硅表面很薄的表层的一种扩散方式,目的是预先在硅扩散窗口掺入一定剂量的杂质。

   恒定表面源扩散时硅一直处于杂质氛围中,因此,认为硅片表面达到了该扩散温度的固溶度Ns,根据这种扩散的特点,解一维扩散方程式,√0r=LD为扩散长度;J为由表面算起的垂直距离eerfc为余误差函数,所以,恒定源扩散杂质浓度服从余误差分布e如图57所示是恒定表面源扩散的杂质浓度分布,从图中可看到这种函数关系。

    可见,当表面浓度Cls、杂质扩散系数D以及扩散时间r确定后,杂质的扩散分布也就确定了。其中,Cs和D主要取决于不同的杂质元素和扩散温度。Cs是半导体内表面处的杂质浓度,它并不等于半导体周围气氛中的杂质浓度。当气氛中杂质的分压强较低时,在半导体内表面处的杂质溶解度将与其周围气氛中杂质的分压强成正比。当杂质分压强较高时,则与周围气氛中杂质的分压强无关,数值上就等于扩散温度下杂质在半导体中的固溶度。在通常的扩散 条件下,表面杂质浓度可近似取其扩散温度下的固溶度。因此,杂的同溶度给杂质扩散的表面杂质浓度设置了上限。如果扩散所要求的表面杂质浓度大于某杂质元素在硅中的最大固溶度,那么就无法用这种元素来获得所希望的杂质分布。