由于HF可以在室温下与s02快速反应而不会刻蚀~Sl基材或多晶硅,所以它是湿法刻蚀sO的最佳选择。OM3805HE043EUM使用含有HF的溶液来进行s02的湿法刻蚀时,在上述反应过程中,HF不断消耗,因此反应速率随时间的增加而降低。为了避免这种现象的发生。通常在腐蚀液中加人一定的氟化氨作为缓冲剂(形成的腐蚀液称为缓冲氢氟酸BHF)。氟化氨通过分解反应产生HF,从而维持HF的恒定浓度。常用的配方为HF:N城F:H2O=3mI':6g△0mL,其中HF是妈%的浓氢氟酸。分解反应产生的NH3以气态被排除掉。

   影响刻蚀质量的因素主要有以下几点。

   ①黏附性光刻胶与⒊O2表面黏附良好,是保证刻蚀质量的重要条件。黏附不良,刻蚀液沿界面的钻蚀会使刻蚀图形边缘不齐,图形发生变化,严重时使整个图形遭到破坏。

   ②二氧化硅的性质。不同方法生长的SCl具有不同的刻蚀特性。例如,湿氧氧化的s(九的刻蚀速率大于干氧氧化的刻蚀速率;低温淀积生长的欤》的刻蚀速率比干氧和湿氧生长的sCD,都要大。

    ③二氧化硅中的杂质:实践证明,二氧化硅层中杂质的含量的不同会造成刻蚀速率的差异。如硼硅玻璃在HF缓冲剂刻蚀液中很难溶解;磷硅玻璃与光刻胶黏附性差,不耐刻蚀,易出现钻蚀和脱胶等现象。

   ④刻蚀温度。刻蚀温度对刻蚀速率影响很大。温度越高,刻蚀速率越快,刻蚀⒊Q的温度一般在30~40°C。温度不宜过高或过低,温度过高,刻蚀速率过快,不易控制,产生钻蚀现象;温度太低,刻蚀速率太慢,胶膜长期浸泡,易产生浮胶。

   ⑤刻蚀时问。刻蚀时间取决于刻蚀速率和氧化层厚度,对它的控制是很重要的。刻蚀时间太短,氧化层未刻蚀干净,影响扩散效果(或电极接触不良);刻蚀时间过长会造成边缘侧向刻蚀严重,使分辨率降低,图形变坏,尤其是光刻胶膜的边缘存在过渡区时,更易促使侧蚀的进行。