同样可以用TEOS源淀积PEC`⊙sio薄膜,记为PETEOS。这种⒊O2薄膜中会存在残余碳污染,K4B2G0846B-HCF7如果在气体人口02/TEOS流量比足够大的情况下,残余碳污染很小;而薄膜的折射率和介电常数适当。PETEC)s衬底温度同样低于400℃,所淀积薄膜的应力可以在较宽范围内得到控制。PSG和BPSG中的掺杂剂通常使用有机化合物,如四丁基磷烷和硼酸三甲酯,以减少氢化物的使用。PETEO⒏SiO`薄膜不能直接用来填充窄间隔的金属线,因为薄膜中会产生空洞。通常采用的是PETEOS和AP'ΓEOS或者HI)RCVD相结合的方法制备有良好的间隙覆盖能力的⒏o2薄膜。PETEOS方法淀积⒊O2的速率相对较高,这对于提高生产效率有利。

   氮化硅薄膜淀积

   在微电子I艺中常用的介质薄膜还有氮化硅薄膜,特别是在一些不适合使用工氧化硅薄膜的场合,氮化硅薄膜被广泛使用。氮化硅薄膜通常是采用CVD工艺制备。