集成电路日前正处于由ULSI(甚大规模集成电路)而跨入GSI(巨大规模集成电路)的时代。以S29AL016D70TFI020作为微细化、高集成化先导的M(E(金属氧化物半导体)工艺和DRAM(动态随机存取存储器)电路为例,1GB DRAM可集成大约10亿个元件。为了把这么多元件高密度地集成在ULSI的芯片中,元件和电路的最小尺寸极其细微:在64MB DRAM中是O.35~0.5um,在256MB的DRAM是0,25~o・35um。目前大批量生产所用的技术为40~65nn),领先技术已达28nm,至于今后究竟能达到多大的集成化,在很大程度上有待于微细加I技术的进步。集成电路将沿着微细、高集成化的方向发展。这种微细一高集成化的原动力,就是在硅衬底上形成元件和电路微细图形的制版光刻技术。

集成电路的制版光刻技术按所使用光源的不同可分为光学光刻技术、X射线光刻技术、电子束光刻技术和离子束光刻技术等。

    40多年来,光学光刻技术一直是推动集成电路I业迅速发展的重要技术。日前,193nm和157nm光学光刻技术基本成熟,透镜数值孔径在增大,193nm和]57nm光学光刻胶性能在提高,光学移相掩邻技术在发展,光学邻近效应校正的精度在提高。这一切,保证了光学光刻技术能够使光学光刻系统曝光出来的线条尺寸比曝光波长还要短。尽管光学光刻技术的竞争对手(包括接近式X射线光刻、多通道高速电子束直写光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻、极端远紫外投影光刻等)也在不断发展,但是光学光刻已经应用于0.13um的IC生产,在90nm及90nm以下的集成电路制造水平上,光学光刻依然具有强大的生命力,而且还能应用到65nm和嫡nm的IC生产中去。通过改进光源和采用分辨率增强技术,日前主流的光学光刻技术已接近其光学极限。

    集成电路产业的发展要延续以往的增长速度,技术上将经受严峻的挑战。当然,作为集成电路制造业材料供应环节的掩膜制造,同样也将经受十分严峻的考验。如今光掩膜制造商们所面临的挑战主要包括:如何精确地控制光掩膜图形的对准表现、光掩膜图形的尺寸表现和光掩膜的缺陷表现;如何制造带有衍射辅助成像亚分辨率图形的光掩膜,完成写人、检测、度量、清洗、修复等一系列操作理解并掌握光掩膜端的偏振效应和光掩膜图形高低起伏对偏振效应的影响。