表面浓度是在半导体产品设计或制造过程中,特性分析和模拟计算时经常要用到的又一个重要参数。如图521所示为同种分布函数情况下,R=码和Cs之间的关系。R3602DR-S表面浓度不同,杂质分布可以有很大的差异,从而对产品特性带来影响。但是,即使表面浓度Cs相同,分布仍然是不确定的,如图521(a)所示。反之,R□相同,Cs不相同,如图521(b)所示,分布也是不确定的。根据方块电阻R□与杂质总量Q的关系,以及杂质总量和结深的表达式,可以知道,在本体杂质浓度不变的情况下,R□、Cs和凸三者之间存在对应的关系,已知其中的两个,第二个就唯一地确定,从而具有确定的杂质分布。反之亦然,如图521(c)所示。所以,对于一定的分布形式,只要其中的任意两个参数给定,杂质分布就唯一地确定,并且第三个参数也自然被确定。可见,表面浓度Cs、结深9l和方块电阻R□都是描述杂质分布常用的和相关的参数。

   在这三个参数中,结深和方块电阻能方便地测得,而表面浓度的直接测量比较困难,必须采用放射性示踪技术或其他较麻烦的手段。因此,在生产中,常由测量R□和trl来了解扩散层的杂质分布,并通过调节扩散条件来控制R□和.rl的大小,从而达到控制扩散杂分布的目的。而在产品设计或分析中需要知道表面浓度Cs的具体数值时,可通过已知的凸和与:的关系(B=寺窀》先求出平均电导率然后通过查图表的方法求得。