在二氧化硅层中存在着与制各I艺有关的正电荷。在sΘ2内和s/si()2界面上有4种类型的电荷(氧化层内电荷的种类和分布如图艹32所示):可动离子电荷Qu;S9S08DZ32F2MLC氧化层固定电荷Qf;界面陷阱电荷Qi∶;氧化层陷阱电荷Q"e这些正电荷将引起⒊/siC)2界面阝硅的反型层,以及MC)S器件阈值电压不稳定等现象, 应尽量避免。

   可动离子电荷(Mobile bnic(rhgc)氢

   f移动离子电荷主要是Na、H・等带正电的碱金属离子,这些离子在二氧化硅中都是网络改变杂质,为快扩散杂质.电荷密度在10Ⅱ~10″cm2。其中主要是N旷,囚为在人体与环境中大量存在Na÷,热氧化时容易发生Na・沾污。

   Nf沾污往往是在SK)'层中正电荷的一个主要来源。这种正电荷将影响到⒏02层下的硅的表面势,从而,s02层中Na・的运动及其数量的变化都将影响到器件的性能。进人氧化层中的Na|数量依赖于氧化过程中的清洁度。现在工艺水平已经能较好地控制Na→的沾污保障MOS晶体管阈值电厅V!的稳定。