晶硅的导电特性与单晶硅也有所不同。在晶粒内部的掺杂原子和在单晶硅中一样是占据替位位置,有电活性;而晶界上的硅原子是无序状态, ACT364US-T掺杂原子多数是无电活性的,且晶粒/晶界之间的杂质分凝导致晶界上杂质浓度高于晶粒内部,因此,在相同掺杂浓度下,多晶硅中有电活性的杂质浓度低于单晶硅,导电能力也就低于单晶硅。另外,晶界上大量的缺陷和悬挂键是载流子陷阱,晶粒中的载流子若陷入晶界之中,对电导就不再起作用。同时品界上的电荷积累还会造成晶粒边界周围形成载流子耗尽的区域,使其能带发生畸变,产生势垒,降低了多晶硅中载流子的有效迁移率,这也引起导电能力下降。图⒎30所示是掺磷多晶硅和单晶硅的电阻率曲线。此图表明多晶硅的电阻率的确大 于单晶硅,特别在相同的中等掺杂浓度时,多晶硅的电阻率0L单晶硅高得多。随着掺杂浓度的增加两者的数值逐渐接近,即重掺杂多晶硅的电阻率和单晶硅相差不大。而本征多晶硅的电阻率很高,通常称为半绝缘多晶硅。多晶硅的电阻率和晶粒尺寸有关。晶粒越小晶界所占多晶硅的比重就越大,导电能 力下降就越多,电阻率也就越高。

   多晶硅薄膜耐高温,与高温热处理工艺有很好的兼容性,而且可以通过热氧化工艺在其表面生长氧化层。多晶硅与热生长氧化层的接触性能良好,界面态密度很低,并月~与硅衬底兼容性好,在陡峭的台阶上淀积的多晶硅薄膜有很好的保形覆盖特性,且薄膜应力较小,一般是压应力,在(1~5)×104N/cm2之间。