从概念上讲,曝光系统的工作原理与照相机类似,就是通过一系列光学系统将掩模板上的图形按照一定的比例(如4:1)投影在衬底上的光刻胶涂层上。S2971F10理论上,如果衬底上的最小线宽(C⒒uccˉln_mension)要达到45nm或32nm,掩模板上的图形最小线宽只要达到180nm或]28nm即可,与其他制作工艺相比,掩模板的制造工艺相对要容易了很多。但掩模板如同投影用的电影胶片的底片一样。它的技术水平直接影响着光刻技术的发展,特别是随着最小线宽的逐渐缩小,投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真等问题将越来越严重,掩模板制造将面临如何从设备、I艺、版图设计等多方面着手以应对45nm和32nm I艺节点的新挑战。

   传统光学光刻及制版技术面临的挑战

   集成电路日前正处于由ULSI(甚大规模集成电路)而跨入GSI(巨大规模集成电路)的时代。以作为微细化、高集成化先导的M(E(金属氧化物半导体)工艺和DRAM(动态随机存取存储器)电路为例,1GB DRAM可集成大约10亿个元件。为了把这么多元件高密度地集成在ULSI的芯片中,元件和电路的最小尺寸极其细微:在64MB DRAM中是O.35~0.5um,在256MB的DRAM是0,25~o・35um。目前大批量生产所用的技术为40~65nn),领先技术已达28nm,至于今后究竟能达到多大的集成化,在很大程度上有待于微细加I技术的进步。集成电路将沿着微细、高集成化的方向发展。这种微细一高集成化的原动力,就是在硅衬底上形成元件和路微细图形的制版光刻技术。集成电路的制版光刻技术按所使用光源的不同可分为光学光刻技术、X射线光刻技术、电子束光刻技术和离子束光刻技术等。