在微电子芯片制造过程中,常常需要在硅片表面做出极微细尺寸的图形,而这些M93C66WMN6TR微细图形最主要的形成方式,是使用刻蚀技术将光刻技术所产生的光刻胶图形,包括线、面和孔洞,准确无误地转印到光刻胶底下的材质上,以形成整个芯片所应有的复杂结构。因此,刻蚀技术与光刻技术总称为图形转印技术,在半导体N制造过程~L占有极为重要的地位。

    一般来说,在ULS1中对刻蚀技术的基本要求包括4个方面:①图形转移的保真度。保真度即各向异性程度。②选择比。选择比是指两种不同材料在腐蚀过程中被腐蚀的速率比。通常用选择比来

描述图形转移中各层材料的相互影响。③均匀性。在硅片上生长的薄膜的厚度存在起伏,而彐.同一硅片不同部位的腐蚀速率也并不相同,这些因素都会造成腐蚀图形转移的不均匀。④刻蚀的清洁。

USLI的图形非常精细,在刻蚀的过程中如果引人沾污,即影响图形转移的精度,又增加了刻蚀后清洗的复杂性和难度。所以防止沾污是刻蚀的一个重要要求。本章从刻蚀概述、湿法刻蚀、干法刻蚀和刻蚀技术新进展等方面介绍刻蚀技术,包括对硅、氮化硅、氧化硅、金属及金属化合物等不同材料的刻蚀应用。