- 对于扬声器负载的措施2012/5/24 19:23:42 2012/5/24 19:23:42
- L1和R11，G8和R12：的作用是抵LM3S6432-IQC50-A2消扬声器以及扬声器布线的电感成分和电容成分，使放大器稳定工作的相位补偿元件（用L1/R11，抵消电客成分，用G8／R12抵消电...[全文]
- 简单的温度补偿电路2012/5/23 19:40:21 2012/5/23 19:40:21
- 如图5.6所示，这是与输出级使用双极LM3S1751-IQC50-A2晶体管的功率放大器完全相同的偏置电路（当然也必须使输出级的MOSFET与偏置电路的晶体管Tri热耦合）。但是，这个电路中MOSF...[全文]
- 晶体管电路中必须有防热击穿电路2012/5/23 19:36:25 2012/5/23 19:36:25
- 功率放大电路中，工作时会产LM3S1601-IQC50-A2生许多热损耗。因此，当热损耗引起放大器件温度上升时，如何使电路稳定地工作是一个重要的设计课题。对于低频功率放大器，由于热损耗会使输出级器...[全文]
- 使用MOSFET能够使电路简单化2012/5/23 19:33:25 2012/5/23 19:33:25
- 当输出级使用MOSFET时，由于没有必要LM3S1165-IQC50-A2提供栅极电流，所以如图5.3所示可以用OP放大器的输出直接驱动MOSFET。但是，对于功率MOSFET来说，器件的输入电容...[全文]
- 采用JFET的推挽源极跟随器2012/5/22 19:52:56 2012/5/22 19:52:56
- 图4.19中是采用JFET的推挽MSP430F415IPMR源极跟随器。这个电路的结构非常简单，而且由于是推挽结构，所以不会像照片4.7所示那样波形被限幅，使用也很方便。由于N沟JFET和P沟JF...[全文]
- 源极接地时的交流增益2012/5/21 20:02:03 2012/5/21 20:02:03
- 对于双极晶体管，这个最大增HCPL-181-00DE益值与hFE有关；对于FET则与gm有关。当源极交流接地时，如图3.25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压vi。而输出电...[全文]
- 放大倍数与频率特性2012/5/21 19:39:41 2012/5/21 19:39:41
- 图3.15是低频范围(0.1～100Hz)的频率AT91SAM9263B-CU特性曲线。从该曲线可以看出正确测得的电路放大倍数为9dB（约2.8倍）。这个值比用式(3.11)求得的电路的增益A，=...[全文]
- 确认输入阻抗的高低2012/5/21 19:36:56 2012/5/21 19:36:56
- 这个实验正好可以确认ADR03ARZ输入阻抗。如图3.12所示，在偏置电路与FET的栅极间串联了一个Rc=1MQ的电阻。照片3.6是图3.12的电路中输入lkHz、1VP-P的正弦波时电路的输入...[全文]
- 用晶体管替代FET2012/5/20 19:10:54 2012/5/20 19:10:54
- 设集电极电阻为Rc，发射极电阻为RE，那么双MT46V32M16P-5BF极晶体管的发射极接地放大电路的交流放大倍数AV为：该式与式(3.11)的源极接地放大电路的情况完全相同。那么我们用...[全文]
- 通用的fLPC 45702012/5/17 20:27:21 2012/5/17 20:27:21
- IC>SN761678BDBTR由各种用途所决定（例如，用于高精度直流放大，宽频带放大、单电源工作以及低动耗电路等），内部的电路也与用途相对应而有各种形式。在本章作为目标的OP放大器，是从可以用于...[全文]
- Tr1与Tr2的选择2012/5/17 19:29:50 2012/5/17 19:29:50
- 对于Tri与Tr2的品种，在设计规格中设有TPS2049DRG4规定频率特性和噪声电平，如果集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间最大额走值VCEO是在电源电压以上的晶体管，那么，选择...[全文]
- 齐纳二极管的代用品2012/5/16 19:47:27 2012/5/16 19:47:27
- 最小输出电压由设计规格可LVC574A知必须为3V，所以对于D5，使用齐纳电压为2V的齐纳二极管H22BLL(日立)。还有，如图10.7(a)所示，也可以用三个串联连接的硅二极管代替齐纳二极管。进而...[全文]
- 射极跟随器2012/5/15 20:16:38 2012/5/15 20:16:38
- 图10.1表示的是简单的串通WSC2000E1型直流电源。实际上，这个电路是在射极跟随器的基础上输入直流电压的结构。该电路称为串通型的理由是，控制输出电压用的晶体管，在电源与负载之间是串联连接的。...[全文]
- 设计偏置电路之前2012/5/14 20:55:52 2012/5/14 20:55:52
- 由于VBE一0.6V，所以为了将Tri的发CA91C142D-33CE射极直流电位(RE十R3上的压降)取为2V，Tri的基极电位必须取作2.6V(=2V+O.6V)。此时，Tri的基极电位...[全文]
- 非反相5倍的放大器2012/5/13 17:39:53 2012/5/13 17:39:53
- 图6.2表示的是进行实验的共基极FM25L16-GTR放大电路。因为将基极用电容C5接地，以电压的状态在发射极上直接输入信号，则晶体管不进行工作。因此，通过发射极电阻，在发射极上输入信号。R。是让发...[全文]
- 电路规格2012/5/11 19:55:53 2012/5/11 19:55:53
- 下表表示的是随身听功率放大AT24C04-10PU-2.7器的设计规格。随身听的输出最大为1VP-P左右。如果电路的电压放大度为10倍，则能够以某种程度的音量使小型扬声器发声。此时，如果输出功率为0...[全文]
- 二级直接连接型推挽射极跟随器2012/5/11 19:34:47 2012/5/11 19:34:47
- 图3.20是将PNP晶体管制作的射极跟随器FM25C160B-GA与NPN晶体管制作的肘极跟随器的两级串联连接，进而将该电路上下重叠成推挽电路（下侧为NPN+PNP的射极跟随器）二级直接连接的推挽射...[全文]
- 耐电应力失效的可靠性设计2012/5/6 15:37:27 2012/5/6 15:37:27
- 电应力引起声表面波器件V58C2128164SBI5失效的主要模式有：使用过程中的瞬态电冲击，如静电放电引起的失效；长期电应力下器件发生缓慢物理化学变化引起的性能参数漂移失效。声表面波器件的抗电应...[全文]
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- 1)零部件精度高，装配精密微特电机是旋转运动的高精2SK3683度电磁元件。高精度、高灵敏度、高稳定度要求保证电机气隙的高度均匀性和磁路对称、电路的平衡。所以，在加工及装配上，要保证定、转子的高同...[全文]
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- 半导体器件的辐照效应，不同器件有HA17555很大差别。一般认为有：中子线辐照效应（如使用电子线、质子、7射线、X射线等的电离射线）、总剂量效应、瞬态剂量效应，以及a线和重粒子的碰撞引起的辐照效应，...[全文]
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