源极接地时的交流增益
发布时间:2012/5/21 20:02:03 访问次数:957
对于双极晶体管，这个最大增HCPL-181-00DE益值与hFE有关；对于FET则与gm有关。
当源极交流接地时，如图3. 25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压vi。而输出电压。为漏极电流的变化量AID与漏极电阻RD之积，所以能够实现的最大增益AVMAX为：
这就是说，为了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是从电路结构上考虑，RD不能够很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET单管放大电路能够得到的最大增益约为30～40dB。
双极晶体管的hFE值在100～1000范围，它的单管电路增大增益约为40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶体管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），这是FET的缺点之一。
当源极交流接地时，如图3. 25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压vi。而输出电压。为漏极电流的变化量AID与漏极电阻RD之积，所以能够实现的最大增益AVMAX为：
这就是说，为了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是从电路结构上考虑，RD不能够很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET单管放大电路能够得到的最大增益约为30～40dB。
双极晶体管的hFE值在100～1000范围，它的单管电路增大增益约为40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶体管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），这是FET的缺点之一。
对于双极晶体管，这个最大增HCPL-181-00DE益值与hFE有关；对于FET则与gm有关。
当源极交流接地时，如图3. 25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压vi。而输出电压。为漏极电流的变化量AID与漏极电阻RD之积，所以能够实现的最大增益AVMAX为：
这就是说，为了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是从电路结构上考虑，RD不能够很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET单管放大电路能够得到的最大增益约为30～40dB。
双极晶体管的hFE值在100～1000范围，它的单管电路增大增益约为40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶体管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），这是FET的缺点之一。
当源极交流接地时，如图3. 25所示，栅极一源极间电压VGS的变化量AVG。等于输入电压vi。而输出电压。为漏极电流的变化量AID与漏极电阻RD之积，所以能够实现的最大增益AVMAX为：
这就是说，为了提高AVMAX，可以增大g。或者增大RD。但是从电路结构上考虑，RD不能够很大(充其量lokQ)。所以，使用JFET单管放大电路能够得到的最大增益约为30～40dB。
双极晶体管的hFE值在100～1000范围，它的单管电路增大增益约为40～60dB。所以用JFET得到的增益比用晶体管稍低些（但是功率MOSFET有些不同），这是FET的缺点之一。
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