晶体管电路中必须有防热击穿电路
发布时间:2012/5/23 19:36:25 访问次数:736
功率放大电路中，工作时会产LM3S1601-IQC50-A2生许多热损耗。因此，当热损耗引起放大器件温度上升时，如何使电路稳定地工作是一个重要的设计课题。
对于低频功率放大器，由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化，为了减小失真，即使不向负载输出电流，也必须经常有一定的电流流过输出器件。
为了实现这种工作，在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。
这种电路中，偏置电路的晶体管Tr，与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度，由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压BE2、VBE3与Tr．的基极一发射极间电压VBE1同样地变化。这样，就能够使空载电流经常保持
一定值。
对于低频功率放大器，由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化，为了减小失真，即使不向负载输出电流，也必须经常有一定的电流流过输出器件。
为了实现这种工作，在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。
这种电路中，偏置电路的晶体管Tr，与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度，由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压BE2、VBE3与Tr．的基极一发射极间电压VBE1同样地变化。这样，就能够使空载电流经常保持
一定值。
功率放大电路中，工作时会产LM3S1601-IQC50-A2生许多热损耗。因此，当热损耗引起放大器件温度上升时，如何使电路稳定地工作是一个重要的设计课题。
对于低频功率放大器，由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化，为了减小失真，即使不向负载输出电流，也必须经常有一定的电流流过输出器件。
为了实现这种工作，在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。
这种电路中，偏置电路的晶体管Tr，与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度，由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压BE2、VBE3与Tr．的基极一发射极间电压VBE1同样地变化。这样，就能够使空载电流经常保持
一定值。
对于低频功率放大器，由于热损耗会使输出级器件的温度发生变化，为了减小失真，即使不向负载输出电流，也必须经常有一定的电流流过输出器件。
为了实现这种工作，在输出级使用双极晶体管的电路中经常采用图5.4所示的具有温度补偿作用的偏置电路。
这种电路中，偏置电路的晶体管Tr，与输出级的晶体管Tr2、Tr3热耦合——处于相同的温度，由于发热而发生变化的Tr2、Tr3的基极一发射极间电压BE2、VBE3与Tr．的基极一发射极间电压VBE1同样地变化。这样，就能够使空载电流经常保持
一定值。
上一篇：使用MOSFET能够使电路简单化
上一篇：MOSFET电路中没有热击穿问题
相关技术资料- 10-12音乐门铃（音乐集成电路）
- 5-23晶体管电路中必须有防热击穿电路
- 相关IC型号
- LM3S1601-IQC50-A2
- 暂无最新型号
公网安备44030402000607
