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采用JFET的推挽源极跟随器

发布时间:2012/5/22 19:52:56 访问次数:1774

    图4.19中是采用JFET的推挽MSP430F415IPMR源极跟随器。
    这个电路的结构非常简单,而且由于是推挽结构,所以不会像照片4.7所示那样波形被限幅,使用也很方便。
    由于N沟JFET和P沟JFET的栅极与栅极、源极与源极相互连接,所以Tr,和Tr2都是在VGS =OV下工作。因此,Tri和Tr2的源极电流都是IDSS(GS一OV时的源极电流是IDSs)。
    不过这是Tri和Tr2的传输特性完全相同(当然极性是相反的)时的情况,实际的器件即使是互补对也不一定正好完全一致。

           
    图4.19的电路中Tri的源极与Tr2的源极相接续,所以Tri和Tr2的源极电流完全相等。这时如果像图4. 20那样将N沟JFET与P沟JFET的传输特性叠合,那么两条曲线的交叉点就成为实际的工作点(曲线交叉点处的漏极电流的值相同)。这时的源极电位将会偏离V GS为OV的值。
    这个电路的设计非常简单,只是选择JFET。但是JFET必须使用互补对,而且IDSS的档次必须一致。否则的话,将不会出现传输特性的交叉点。
    另外,由于使用的JFET的IDSS分散性,不能确定源极电位是正还是负,所以为了从Tri和Tr2的源极取出输出而使用的耦合电容必须采用无极性(双极性的)电容。

    图4.19中是采用JFET的推挽MSP430F415IPMR源极跟随器。
    这个电路的结构非常简单,而且由于是推挽结构,所以不会像照片4.7所示那样波形被限幅,使用也很方便。
    由于N沟JFET和P沟JFET的栅极与栅极、源极与源极相互连接,所以Tr,和Tr2都是在VGS =OV下工作。因此,Tri和Tr2的源极电流都是IDSS(GS一OV时的源极电流是IDSs)。
    不过这是Tri和Tr2的传输特性完全相同(当然极性是相反的)时的情况,实际的器件即使是互补对也不一定正好完全一致。

           
    图4.19的电路中Tri的源极与Tr2的源极相接续,所以Tri和Tr2的源极电流完全相等。这时如果像图4. 20那样将N沟JFET与P沟JFET的传输特性叠合,那么两条曲线的交叉点就成为实际的工作点(曲线交叉点处的漏极电流的值相同)。这时的源极电位将会偏离V GS为OV的值。
    这个电路的设计非常简单,只是选择JFET。但是JFET必须使用互补对,而且IDSS的档次必须一致。否则的话,将不会出现传输特性的交叉点。
    另外,由于使用的JFET的IDSS分散性,不能确定源极电位是正还是负,所以为了从Tri和Tr2的源极取出输出而使用的耦合电容必须采用无极性(双极性的)电容。

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