Si、GaAs器件常用的引线键合工CC2430F128RTCR艺有三种：超声键合、热压键合和超声热压键合。无论采用哪种键合工艺，对器件可靠性都有一定的影响。
    (1)超声键合
    超声键合易损伤管芯，生成金属间化合物。
    (2)热压键合
    热压键合分楔焊和球焊。键合时要求器件加热到250～3000C，但在这种高温下易使烧结生成的芯片焊接处的合金氧化，增大热阻，严重时会出现“双线”（输出特性曲线）。GaAs FET器件在靠近台面边缘进行热压键合时，会产生应力集中，使器件损坏。当采用Au丝压到Al膜压点上，在高温工作环境(200～250℃)下，Au-Al系统容易产生金属间化合物，形成Kirkendall空洞，导致键合点开路。Au-Al键合点经高温存储后，质脆的AuAlz（俗称紫斑）易造成接触电阻增大。
    (3)超声热压键合
    采用超声热压键合时，键合点的抗拉强度对器件可靠性影响很大，因此应严格控制超声波振动频率、超声输出功率、键合时间及芯片预热温度等因素。Si、GaAs微波晶体管、微波功率管、内匹配功率管的引线键合质量还包括引线粗细、数量、悬垂高度、键合位置、引线长度等因素。
    表4. 16是几种键合方法的强度和可靠性比较。从表中可知，梁式引线和倒装焊可靠性高，但工艺成品率和散热性能较差。