使用MOSFET时由于温度变化使LM3S1607-IQR50-A0漏极电流发生变化的关系曲线如图5.5所示。
    这就是说，当栅极一漏极间电压保持一定而温度变化时，漏极电流在电流值小的时候具有正的温度系数（温度升高，漏极电流增加），而在电流值大的对候具有负的温度系数（温度升高时漏极电流减小）。
    对于双极晶体管，不论集电极电流值大小如何，集电极电流的温度系数都是正值。因此，如果不进行切实的温度补偿将会发生热击穿（温度上升一集电极电流增加一温度进一步上升一集电极电流进一步增加一…所谓的恶性循环），最终有可能导致器件被烧坏。
    对于MOSFET来说，由于漏极电流大的时候具有负的温度系数，所以不会发生热击穿。这也是MOSFET的优点之一。
    当低频功率放大器的输出级使用MOSFET时，严格来说为了符合图5.5所示的温度特性，需要使偏置变动的温度补偿电路。
    但是在原理上MOSFET不发生击穿，所以也就没有必要对偏置电路进行严格的温度补偿。只要有“如果温度升高，栅极一源极间电压将减小，从而抑制漏极电流”这样的补偿就足够了。