设计偏置电路之前
发布时间:2012/5/14 20:55:52 访问次数:577
由于V BE一0.6V，所以为了将Tri的发CA91C142D-33CE射极直流电位(RE十R3上的压降)取为2V，Tri的基极电位必须取作2.6V( =2V+O. 6V)。
此时，Tri的基极电位是电源电压用Ri与R2进行分压后的电位。所以R2的压降取作2. 6V，Ri的压降取为12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶体管的基极上流过的基极电流是集电极电流的l/hFE，假定hFE一200，则Tri的基极电流为0.OlmA。
在偏置电路Ri，R2中，有必要让其预先流过使该基极电流可以忽略的足够大的电流（如在偏置电路中流过的电流小，则由于基极电流的影响，基极偏置屯压，即基极的直流电位偏离设定值很大）。
此时，Tri的基极电位是电源电压用Ri与R2进行分压后的电位。所以R2的压降取作2. 6V，Ri的压降取为12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶体管的基极上流过的基极电流是集电极电流的l/hFE，假定hFE一200，则Tri的基极电流为0.OlmA。
在偏置电路Ri，R2中，有必要让其预先流过使该基极电流可以忽略的足够大的电流（如在偏置电路中流过的电流小，则由于基极电流的影响，基极偏置屯压，即基极的直流电位偏离设定值很大）。
由于V BE一0.6V，所以为了将Tri的发CA91C142D-33CE射极直流电位(RE十R3上的压降)取为2V，Tri的基极电位必须取作2.6V( =2V+O. 6V)。
此时，Tri的基极电位是电源电压用Ri与R2进行分压后的电位。所以R2的压降取作2. 6V，Ri的压降取为12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶体管的基极上流过的基极电流是集电极电流的l/hFE，假定hFE一200，则Tri的基极电流为0.OlmA。
在偏置电路Ri，R2中，有必要让其预先流过使该基极电流可以忽略的足够大的电流（如在偏置电路中流过的电流小，则由于基极电流的影响，基极偏置屯压，即基极的直流电位偏离设定值很大）。
此时，Tri的基极电位是电源电压用Ri与R2进行分压后的电位。所以R2的压降取作2. 6V，Ri的压降取为12. 4V( =15V-2.6V)就可以。
在晶体管的基极上流过的基极电流是集电极电流的l/hFE，假定hFE一200，则Tri的基极电流为0.OlmA。
在偏置电路Ri，R2中，有必要让其预先流过使该基极电流可以忽略的足够大的电流（如在偏置电路中流过的电流小，则由于基极电流的影响，基极偏置屯压，即基极的直流电位偏离设定值很大）。
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