- 连接器可靠性设计的主要技术2012/4/30 17:19:19 2012/4/30 17:19:19
- 连接器的可靠性设计技术主要有：消除CXA2647N失效模式的可靠性设计、耐环境可靠性设计、耐高温设计、热设计、长寿命设计、降额设计、优化设计、防误操作设计和安全设计等。为了实现连接器的可靠性设计，...[全文]
- 零件表面防护处理的涂覆工艺可靠性设计2012/4/30 17:14:07 2012/4/30 17:14:07
- 连接器中金属零件表面防护处理主要采用FS7M0880YDTU表面电镀来进行防护，这也是用得最多的涂覆方法。接触体的表面涂覆目前采用最多的是中间层镀镍（或镍基合金），外层镀金。如直接采用镀银，一般应对...[全文]
- 膜层电传导的主要机理2012/4/29 22:12:55 2012/4/29 22:12:55
- 膜层电传导的主要机理包括三种：即量子BT139-600E论的隧道传导、某些膜层中存在的电解传导和膜层击穿特性。有离子存在的膜层中，在加上电场时，这些离子能迁移，形成电解作用的离子传导为主；在膜层厚度...[全文]
- 硅微波PIN二极管可靠性增长设计实例2012/4/29 21:23:46 2012/4/29 21:23:46
- 本例是介绍已生产定型且进入批量供货AD7790BRMZ的老产品，如何通过采用可靠性技术方法，进行工艺设计的改进来实现可靠性增长的实例。某种型号硅微波PIN二极管是连续供货多年的老产品，由于使用要求...[全文]
- 设备、仪器能力的控制要求2012/4/28 19:52:44 2012/4/28 19:52:44
- 设备的能力、完好性及正确的AP503TR-G1使用、维护对可靠性控制同样有至关重要的意义。很多的失效模式与未能最佳发挥设备能力有关，有些设备必须专项使用（不能混用），有些设备必须定期检定和维护，有些...[全文]
- 异质结双极晶体管(HBT)2012/4/26 19:33:52 2012/4/26 19:33:52
- HBT足纵向结构的三端器件。发射区采用MUR460轻掺杂的宽带隙的半导体材料(如AIGaAs)，基区采用重掺杂的较窄带隙的材料（如GaAs）。的存在，允许基区比发射区有更高的掺杂浓度，因而可以降低基...[全文]
- 半导体二极管2012/4/25 19:52:20 2012/4/25 19:52:20
- 由PN结用外壳封装起来，并加上电极引CY8C20336A-24LQXI线就构成了半导体二极管。由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极。物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度...[全文]
- 基板失效2012/4/25 19:27:53 2012/4/25 19:27:53
- 基板失效也是混合集成CY7C136-25JXCT电路的一种重要的失效模式，分为机械失效和电气失效。机械失效主要是基板裂纹、开裂等，避免机械失效可以考虑以下几方面：①注意基板厚度与长宽的比例关系，...[全文]
- 详细可检查的设计评审细则2012/4/25 19:08:59 2012/4/25 19:08:59
- 为保证新品的可靠性设计能CY37032P44-125AXC满足预定要求，应制订可实行的可靠性设计评审细则，具体要求可参见1.7.3节。混合集成电路设计完成后，必须对电性能、热性能、可生产性和与制...[全文]
- 三防设计及气密性设计2012/4/24 19:52:13 2012/4/24 19:52:13
- 三防设计是指防潮湿设计、防盐雾设计FAN7314MX和防霉菌设计。关于潮湿、盐雾和霉菌的影响效应分析请参看本书的1.6.6节。气密性设计是高可靠混合集成电路的必备要求，应采用适当的外壳封装。通常，用...[全文]
- 小结2012/4/23 19:29:48 2012/4/23 19:29:48
- 高性能的电子系统要求VLSI能长期OV5642可靠的工作，使得原来意义上的“IC设计”发展成为“IC性能设计”和“IC可靠性设计”两部分。而后一部分显得越来越重要。IC可靠性设计的基础是可靠性模型的...[全文]
- ESD工作2012/4/23 19:08:43 2012/4/23 19:08:43
- ESD保护设计是一个系统D1616A工作并极为重要。它需要确定出复杂的多层次的耦合影响。同等重要的是认识到ESD设计不是普遍适合的，即使在同一种工艺中也是如此。尽管混合模式的ESD模拟目前还不完美，...[全文]
- MM模型2012/4/22 16:18:30 2012/4/22 16:18:30
- 机器模型（MM模型）模拟在ACT4065自动测试过程中，带静电的机器接触到集成电路时的ESD的泄漏情况。MM模型类似于HBM模型，但参数不同：CESD一lOOpF，RESD、LESD可以忽略，MM模...[全文]
- 搞辐射环境设计技术2012/4/20 19:29:51 2012/4/20 19:29:51
- 用于通信卫星、气象卫星ACT4060等航天器中的电子元器件，由于长期在太空环境下工作，要受到来自太阳和银河系的各种射线的辐射。在辐射环境中通常要考虑的有5类粒子：7射线、电子、质子、中子和来自宇宙或...[全文]
- 容差设计2012/4/20 19:08:33 2012/4/20 19:08:33
- 容差设计是产品设计的最后一个CL6562阶段。在完成系统设计和参数设计确定了可控因素的最佳水平组合后进行的。容差设计的目的是在参数设计阶段确定的最佳条件的基础上，确定各个参数合适的容差。容差设计的基...[全文]
- 耐热设计技术2012/4/19 19:56:09 2012/4/19 19:56:09
- 耐热设计是指在一定的环境温度下，电子元SGM4684XG/TR器件可承受一定酌功耗(如100W)能长期可靠地工作。由于电子元器件的温度过高或局部温度过高使其结构发生物理化学变化导致性能参数超差，甚至...[全文]
- 耐高温设计2012/4/19 19:49:59 2012/4/19 19:49:59
- 耐高温设计是指在特定的AWT6282RM20P8高温环境下，电子元器件能安全可靠地工作。耐高温设计的重点就是考虑环境温度对产品可靠性的影响。例如，在机载电子设备中，要求器件在环境温度为60℃下工作，...[全文]
- 因果图分析2012/4/19 19:35:40 2012/4/19 19:35:40
- 因果图(causeandeffectdiagram)是一种6550分析和表达因果关系的图解，是一个从问题症状到原因分析到寻找答案、促进问题解决的过程图解分析，一般用在分析问题原因阶段。因果图基...[全文]
- 内部缺陷分析2012/4/19 19:26:38 2012/4/19 19:26:38
- 内部缺陷（工艺缺陷）分析的目的6100是检查和确认样品内部的材料性质、设计、结构和工艺制造上出现错误的迹象以及与失效有关的异常现象和缺陷。内部缺陷检查的设备包括立体显微镜，金相显微镜、扫描电子显微镜...[全文]
- 进行可靠性与工艺参数相关性分析2012/4/18 19:36:24 2012/4/18 19:36:24
- 工艺可靠性主要是结合具体工艺过程，根据SGM2001-2.8XN5电子元器件可靠性指标要求，从设备和工艺控制角度出发，采用可靠性评价试验、可靠性模拟技术等方法，针对主要失效机理，确定出与可靠性关系密...[全文]
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