用于通信卫星、气象卫星ACT4060等航天器中的电子元器件，由于长期在太空环境下工作，要受到来自太阳和银河系的各种射线的辐射。在辐射环境中通常要考虑的有5类粒子：7射线、电子、质子、中子和来自宇宙或核裂变的高能核子[16]。在核爆环境和反应堆附近，电子元器件也会受到各种高能射线的损伤。
    宇宙辐射环境及效应
    表1-28 c16]概述了一般宇宙飞船的辐射水平。

    宇宙环境的破坏效应一般可分为：
    ①高能电子和质子引起的永久性破坏效应。
    ②宇宙射线或俘获质子的单一相互作用造成的、高度局部的电离或位移效应。
    辐射损伤机理主要有位移效应、电离效应、剂量增强效应、低剂量率效应等。
    辐照粒子（中子、7肘线等）与被辐射材料的原子核发生碰撞产生位移，导致空位一间隙原子对（缺陷）的产生，引起材料电导率和少数载流子寿命的变化，导致体积电阻率增大。例如，半导体材料有3个微观物理参数，即少子寿命r、纯掺杂质浓度n和迁移率灶。中子辐射在半导体材料内引入缺陷和缺陷群，从而改变了这3个微观物理量，使半导体器件所有的电参数产生变化。