我们先介绍两个重要的参数，βDC（直流电流增益）和aDC，并且利用它们来分析晶体管电路。同时也会讨论晶体管的特性曲线，你将会学习到如何由这些曲线来说明电晶体的工作原理。最后，将会讨论晶体管的最大额定值。
    在学完这一节后，你应该能够：讨论晶体管参数和特性，以及使用这些来分析晶体管电路；定义直流p值(βDC)；定义直流a值(aDC)；确认晶体管电路中所有的电流和电压；分析基本的晶体管直流电路；说明集电极特性曲线和如何使用直流负载线(DC load line)；说明βDC是如何随温度和集电极电流变化；参与讨论和应用最大的晶体管额定值；如何将晶体管的功率消耗加以额降；说明晶体管的特性参数表。
    如上一节所讨论，当晶体管接上直流偏压时，如图4.6中所示的NPN和PNP类型，VCC对基极一发射极结施加正向偏压，而VCC对基极一集电极结施加反向偏压。虽然在这一章，我们使用电池符号来表示偏置电压，但实际上这些电压通常是由直流电源供应器提供。例如，VCC通常是直接从电源供应器的输出端取得，而（这个电压较低）则可利用分压器产生。

                      
    1. 直流β值 (βDC)与直流a值（aDC）
    直流集电极电流(Ic)与直流基极电流(IB)的比值，即是直流β值(β3DC)，它代表电晶体的直流电流增益。
    βDC=Ic/IB       (4.2)
    βDC的标准值范围是从小于20～200或更高。βDC在晶体管特性参数表中，通常表示为另一个相同的hybrid(h)参数，hFE。目前你所需要知道的就是    hFE=βDC
    直流集电极电流(Ic)与直流发射极电流(IE)的比值，即为直流a值(aDC)。在晶体管电路中，a值是比β值较少被用到的参数。
                        aDC=Ic/IE
    通常，aDC僮的范围是从o．95～0. 99或是更大，但是aDc永远小于1。原因是Ic永远会比IE少一个IB的值。举例来说，若IE =lOOmA以及IB=lmA，那IC=99mA以及aDC=0.99。
   2.电流与电压的分析
    考虑图4.7中的基本晶体管偏压电路状态。

                               
    IB为直流基极电流；
    IE为直流发射极电流；
    IC为直流集电极电流；
    VBE为基极对发射极直流电压；
    VCB为集电极对基极的直流电压；
    VCE为集电极对发射极的直流电压。
    对基极一发射极结施加正向偏压，对基极一集电极结施加反向偏压。当基极一发射极结为正向偏压时，它就像一个正向偏压的二极管，并且会有一个微小的正向电压降值：   

                   VBE≈0.7V    (4.3)
    虽然在一个真正的晶体管中，可以到达0.9V之高而且会和电流有关，我们在本书中将使用0.7V，这是为了简化分析以便能够表达基本概念的目的。
    既然发射极是接地(OV)，由基尔霍夫电压定律(Kirchhoff's Voltage Law)，
    两端的电压为    VRn=VBB-VBE
    同时，由欧姆定律(Ohm's law)，    VRn=IBRB
   3.集电极特性曲线
    使用如图4.9(a)所示的电路，你可以产生一组集电极特性曲线( collector characteristic curves)，用来表示集电极电流在固定的基极电流下，是如何随着集电极一发射极电压VCE改变。请注意，电路图中的VBB和Vcc都是可调电压源。

         
    假设设定的VBB可产生一定的IB值，且Vcc为零。在这种情况下，基极一发射极结和基极一集电极结都是正向偏压，这是因为基极电压大约在0. 7V，而发射极与集电极都在是OV。基极电流会通过基极一发射极，这是因为它到接地之间为低阻抗，因此为零。当两个PN结都是正向偏压时，晶体管会工作在饱和区(saturation)。
    当Vcc增加，会因为集电极电流的增加，导致VCE慢慢地增加。这可由图4.9(b)中的特性曲线，介于A点和B点之间的部分看出。Ic会随着Vcc增加，这是因为会因基极一集电极结正向偏压而维持在低于0.7V的幅度。
    理论上，当VCE超过0.7 V时，基极一集电极结会成为反向倔压，而晶体管会进入它的作用区(active)或线性( linear)工作区。一旦基极一集电极结成为反向偏压时，对于一定的IB，当VCE不断地增加时，Ie会大略持平且基本上维持一个定值。事实上，Ie会稍微随着VCE的增加而增加，这是由于基极一发射极结的耗尽区变宽所引起。这会导致在基极区域较少数量的空穴能够与自由电子再结合，因此造成稍微增加。这可由图4.9(b)中的特性曲线，介于点B和点C之间的部分看出。在这个部分的特性曲线图，IC完全由IC=βDCIB的关系决定。
    当VCE到达一个够高的电位时，反向偏压的基极一集电极结会进入击穿区，这时集电极电流IC会快速增加，如图4.9(b)中C点右边的曲线所表示。晶体管应该不能工作于击穿区。
    按照不同的IB值来绘制Ie对VCE的曲线，就可得到一系列的集电极特性曲线，如图4.9(c)所示。当IB=O，晶体管是在截止( cutoff)区，虽然这时仍有很小的集电极泄漏电流，如图所示。图中所见的IB=0时的集电极泄漏电流，D3P-052 是为了说明而加以放大显示。