为了使晶体管能够正确地当作放大器使用，两个PN结必须使用外加直流电压正确地施加偏压。在这一节中，我们使用NPN晶体管示范说明。NPN的动作和PNP是一样的，只有电子和空穴所扮演的角色、偏压的极性，还有电流的方向完全相反而已。
    在学完本节后，你应该能够：说明如何施加晶体管的偏压，参与讨论晶体管电流，以及偏压和电流之间的关系；说明正向一反向偏压；说明如何将晶体管连接到偏压电压源；描述晶体管的基本内部工作原理；列出和晶体管中昀集电极、发射极和基极电流相关的公式。
    图4.3显示将NPN和PNP晶体管当作放大器来使用时，正确的偏压方式。请注意，在这两种情况下的基极一发射极(BE)结均是正向偏压，而基极一集电极(BC)结则为反向偏压。

             
    为了说明晶体管的动作特性，让我们来看看在NPN晶体管内到底发生了什么。从基极到发射极的正向偏压让BE耗尽区变窄，从基极到集电极的正向偏压将BC耗尽区加宽，如图4.4中所示。（高掺杂浓度）的N型发射极区域注入（导）带（自由）电子，可以轻易地扩散通过正向偏压的BE结而进入P型基极区域，这些电子成为少数载流子，就如同正向偏压下的二极管一样。基极区域（内掺杂浓度低）且非常薄，因此它的空穴数目十分有限。因此，只有少部分通过BE结的电子能够与基极的空穴结合。这些相对少量结合的电子成为价电子流，从基极端流出，形成一般小量的基极电子流，如图4.4所示。
    大部分从发射极流向薄且低掺入杂质基极的电子，都不会与空穴重新结合，而是扩散进入BC耗尽区。电子一旦进入这个区域，由正离子和负离子之间吸引力所产生的电场，就会将这些电子拉着通过反向偏压下的BC结。事实上，你可以想象电子受到集黾极电压吸引，而被拉着通过反向偏压下的BC结。电子现在移动通过集电极区域，再向外通过集电极引脚，然后进入集电极电压源的正极。这就形成集电极电子流，如图4.4中所示。集电极电流远比基极电流来得大。这就是晶体管会呈现电流增益的原因。

                     
   1.晶体管电流
    晶体管中的电流方向，以及它的电路符号都显示在图4.5(a)中，F1AGPCC04A 至于PNP型晶体管则显示在图4.5(b)中。请注意，在晶体管符号发射极的箭头，指向传统电流的方向。这些图显示发射极电流(IE)为集电极电流(Ic)和基极电流(IB)的总和，由下式表示：
                         I_E=Ic+I_B   (4.1)
    如前所述，IB比起IE或IC小很多。大写字母的下标代表的是直流值。