由于LSI、VLSI的迅速发展，芯片的工艺AP62T03GH特征尺寸达到深亚微米级(0.15pm)．芯片尺寸达到20mm×20mm以上，其I/O数已超过1000个，但是，芯片封装却成了一大难题，人们力图将它直接封装在PCB上。通常采用的封装方法有两种：一种是COB法；另一种是倒装焊(C4)法。适用COB法的裸芯片(Bare Chip)又称为COB芯片，后者则称为FlipChip，简称为F．C，两者的结构有所不同，现介绍如下。
2.7.1  COB芯片
    COB芯片的焊区与芯片体在同一平面上，焊区是周边均匀分布，焊区最小面积为90ym×90ym，最小间距lOOpl,m。由于COB芯片焊区是周边分布，所以I/O的增长受到一定的限制，特别是它在焊接时采用线焊，实现焊区与PCB焊盘相连接，因此，PCB焊盘应有相应的焊盘数，并也是周边排列，方能与之相适应。由于帮定后芯片面是朝上的，通常又把COB技术称为正装技术。
    COB帮定后需要包封绝缘环氧胶，散热有一定困难，故COB通常只适用于低功耗的(0.5～1W)的IC芯片。目前，各种COB芯片均可以定做，价格仅为QFP封装的一半，因此COB仍有广泛的市场。
    2.7.2  F-C
    F．C芯片是20世纪60年代美国IBM首先研制成功的。它与COB的区别在于焊点是呈面阵列式排在芯片上，并且焊区做成凸点结构。焊接时将F-C反置于PCB上，芯片面朝下与基板焊区互连，故这F-C芯片称为倒装芯片，焊接方法又称为倒装焊。
    F-C技术属于晶圆级的阵列封装技术，晶片上的I／0是以面阵列的凸点形式实现的，其封装密度非常高，F-C技术具有封装尺寸小、可靠性高、高频特性及散热特性好、成本低的优势，特别是倒装焊能与SMT楣兼容，可同时完成贴装与焊接，现已广泛用于手机、计算机、电子表、MP3等各种电子产品中。早期F．C焊点间距为0.4mm或0.5mm，现在已做到O.lmm，最初凸点数为102个，目前已做到402个。早期的F-C芯片凸点材料仪为SnP料，并采用再流焊方式焊接，故这种焊接方法又称为可控塌陷芯片连接( ControlledCollapsed Chip Connection,  C4)。
    凸点的制作是F-C技术的关键，现已出现了多种凸点制作技术，成熟的制作技术有：化学镀凸点、蒸发／溅射凸点、钉头凸点、激光植球，最近随着印刷机精度的提高又出现焊膏印制凸点。
    在装联方法上随着凸点制造方法不同而出现相应的装联方法，对于焊料类凸头的F-C可采用再流焊；而对于用非焊料形成的焊点，如由电镀、蒸发／溅射、金丝球所形成的金，、点、铜凸点、镍／金凸点则可通过热压或热声整体键合实现互连。近年来由于各向异性导技术的成熟促成了F-C装联技术越来越普及，各向异性导电胶中含有极细的弹性体，弹性体外层先镀有导电的金层，并又在金层外镀一层镍。最后在金属外层再包裹一层绝缘层，异性导电胶使时，当受正压力后弹性体最外绝缘层破裂并裸露幽金属层，故在z方向实现导通，即在实施F-C装联时只要将各向异性导电胶涂布在F-C与PCB对应的焊盘上，然后对正F-C施加一定压力和温度，此时z方向就会导通，随着胶的固化，实现了F-C凸点与焊盘的连接，而在水平方向各向异性导电胶的金属球未受压力挤压，金属球互不接触，仍保持在不导通的状态，仍有高的绝缘性能，并可以起到F-C封装的机械支撑和散热作用。