图5.17是低频放大器中LM3S818-IQN50-C2特别关注的失真率(THD)与输出功率的关系曲线。输出功率直到12W左右失真率仍然在0.1%以下，所以能够充分满足设计指标的要求。由于输出功率超过了12W，所以即使OP放大器的电源电压稍微降低(约1V)，也能得到10W的输出。

    失真率是电压放大级使用OP放大器的失真率，所以作为低频用功率放大器具有足够的特性。
    最后，我们把这个失真率与使用双极晶体管的功率放大器作以比较。图5. 18是图5.1中使用双极晶体管时电路的失真率与输出功率的关系曲线。
    比较图5.17与图5.18，发现当信号频率高时失真率出现差别。对于MOS-FET来说（参见图5.17），信号频率愈高，失真率愈大。

                 
  
    其原因是MOSFET的输入电容比双极晶体管大，有数量级的差别。这里大电路是用OP放大器直接驱动MOSFET的，但是用OP放大器不能够充分地驱动MOS-FET的输入电容（频率愈高，电容成分的阻抗愈小，使得OP放大器的负载变重）。
    使用双极型晶管的电路虽然比较复杂不过性能良好，使用MOSFET的电路性能少差些但是比较简单——这对于设计者来说是需要权衡的事情！不过不论怎样选择，总是要综合考虑用途、成本（简单的电路未必成本低）、电路的设计思想（也就是设计者的喜好）等困素来决定。