如图8.27所示，光耦合器是由LED(发光二极管)与EP2C70F672C8N光敏二极管（接收光并将光转换为电流的二极管）以及晶体管组合起来的放大／开关器件（也有用光敏晶体管（利用光进行接通／断开的晶体管）替代光敏二极管和晶体管的器件）。

    光耦合器是通过电流流过LED使之发光，再用光敏二极管接收这个光并转换为基极电流使晶体管工作的器件。它可以成为晶体管开关电路的一部分。在这里简单作以介绍。
    由于晶体管的基极电流是由光转换提供的，所以光耦合器的最大特点是LED部分与晶体管部分能够实现电学分离。这样一来，在发光的LED与受光的晶体管之间不论存在多么大的电位差都能够实现信号的交接。因此光耦合器应用于电位差不同的电路间的信号交接、数字电路与模拟电路的GND-地的分离等场合。
    表征光耦合器的重要特性是电流转移比CTR（也叫做转移效率）。CTR是流过输入端LED的电流IF与相应的输出端晶体管的集电极电流Ic之比IF/IC，用“%”表示。一般的光耦合器中CTR的值为百分之几至百分之几百。CTR相当于是光耦合器的^ FE，所以在电路设计中必须充分予以考虑。
    图8.28是使用高速光耦合器6N136(HP)的CMOS数字电路间的连接电路。由于数字电路中间用光耦合器连接，所以可以把电路间的GND线分离，从而截断GND线的电位差和噪声。

    电路的设计首先求光耦合器集电极电阻Rc的值。光耦合嚣的集电极中，即使晶体管处于截止状态仍然有弘A量级的暗电流流动。所以如果Rc值不是小到某种程度的话，就会降低晶体管在截止状态的输出电压。这里设定Rc一4.7kQ，所以Ic～lmA。
    其次是确定流过LED的电流这需要在考虑CTR后才能求得。6N136的CTR是20%（根据数据表），所以可以设定IF一5mA(clmA/20%)。由于CTR随温度和使用时间的变化较大，所以通常留有2至数十倍的余量。图8.28的电路中，留有3倍的余量，设定IF=15mA。