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射极跟随器的偏置电路

发布时间:2012/5/11 20:02:39 访问次数:1610

    如图4.4所示,为了省略耦合电容,射极跟FM20L08-60TG随器的偏置电路插在共发射极电路的晶体管Tri的集电极与负载电阻R3之间。
    在图4.7中,表示偏置电路各部分电压与电流的关系。
    这里选用的晶体管Tr2,只要满足最大集电极电流在20mA以上,集电极一基极间与集电极一发射极间的最大额定值CBO和
VCEO为1.2V以上(两个VBE)的条件,不管什么型号的器件都可以。
    但是,考虑到Tr3与Tr4的热耦合问题,通常考虑使用低频中功率放大晶体管2SC3423。它装在T0126的全模塑封装中(金属部分不露出的绝缘型模塑封装)。在表4.1中表示2SC3423的特性。

                    
    在该电路基极侧(VR2与R。)流动的电流由R4决定,这里取R4一300\CZ。VR2与R4流动的电流则为2mA( =0. 6V/300fl)。另一方面,Tri的集电极电流为20mA,Tr2集电极电
    即使是这样的电路(与放大电路一样),在基极侧流动的电流也设定为集电极电流的1/10(为了能略去基极电流)。
    为了使Tr2的集电极一基极间电压为2VB。(Tr。与Tr;的VB。),由式(4.3)可知,使VR2的值与R4相同即可。所以,采用VR:一47001(500fl也可以),使得半固定电阻的滑动头位置在中央附近时的电阻为300fl。

              

    如图4.4所示,为了省略耦合电容,射极跟FM20L08-60TG随器的偏置电路插在共发射极电路的晶体管Tri的集电极与负载电阻R3之间。
    在图4.7中,表示偏置电路各部分电压与电流的关系。
    这里选用的晶体管Tr2,只要满足最大集电极电流在20mA以上,集电极一基极间与集电极一发射极间的最大额定值CBO和
VCEO为1.2V以上(两个VBE)的条件,不管什么型号的器件都可以。
    但是,考虑到Tr3与Tr4的热耦合问题,通常考虑使用低频中功率放大晶体管2SC3423。它装在T0126的全模塑封装中(金属部分不露出的绝缘型模塑封装)。在表4.1中表示2SC3423的特性。

                    
    在该电路基极侧(VR2与R。)流动的电流由R4决定,这里取R4一300\CZ。VR2与R4流动的电流则为2mA( =0. 6V/300fl)。另一方面,Tri的集电极电流为20mA,Tr2集电极电
    即使是这样的电路(与放大电路一样),在基极侧流动的电流也设定为集电极电流的1/10(为了能略去基极电流)。
    为了使Tr2的集电极一基极间电压为2VB。(Tr。与Tr;的VB。),由式(4.3)可知,使VR2的值与R4相同即可。所以,采用VR:一47001(500fl也可以),使得半固定电阻的滑动头位置在中央附近时的电阻为300fl。

              

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