图5.14是低频范围电压增益的LM3S811-IQN50-C2频率特性(8CZ负载)。电压增益如计算的那样约为20dB。低频截止频率CL约1.4Hz，与由Cl和R2构成的高通滤波器的截止频率(1.6Hz)基本相等。

    图5.15是高频范围电压增益的频率特性（8Q负载）。高频截止频率CH约为186kHz，与由C2、R4构成的低通滤波器的截止频率(180kHz)基本相等。

              
    图5.16是输入端短路时测得的输出端噪声频谱图(8fl负载)。由于MOS-FET作为电压增益为OdB的源极跟随器使用，可以认为MOSFET几乎不输出噪声。这就是说这个噪声特性就是电压放大级使用的OP放大器的特性。总之，作为功率放大器噪声电平有些高。