图3.31是使用N沟JFET和负CC1101RTKR电源的电路。如果用负电源使N沟JFET工作，就成为这样的电路。即使使用负电源，基本的电路结构完全没有变化。输入源变为GND，GND变为负电源。但是必须注意电解电容器的极性。
    这个图中，输入信号是以GND为基准，所以电路的电位比输入输出端低，耦合电容的极性是输入输出端一侧为正极性（电路侧为负极性）。如果这个电路的前后级电路也是采用负电源，那么必须在考虑耦合电路的直流电位后决定耦合电容的极性。
    由于源极的电位比GND低，所以源极接地的电解电容器的GND -侧为正极性。

               
    这个电路的源极是直接由电容器接地的，所以电路的增益为gM×RD(参照式(3.20))。如果希望电路的增益更大些，可以选用gM更大的FET。增大RD值也可以提高增益，不过RD过于大将会增大RD上的电压降，导致取不出最大输出。
    如果没有必要提高增益，那么可以去掉源极接地的电容器，通过调整源极电阻和漏极电阻值，重新设定增益。也可以采用图3. 23所示的方法，即不改变电路的直流工作点只改变交流增益。