图3.36的电路中，栅极偏置使用了10MD,的电阻，设定电CC1101RTKR路的输入阻抗值非常高(电路的输入阻抗高达10M\Q)。另外，由于栅极电位偏置为OV，所以输入端就没有必要插入耦合电容。
    第2级的发射极接地放大电路中由于发射极电阻被电容旁路，所以该级的增益很大。
    电路的总增益A由初级的源极电阻R。和反馈电阻Rf决定。在这个电路中，RS=lOOc2,Rf =lokQ，所以A≈100=40dB.
    当需要改变电路的增益时，可以只改变R。和Rf值。不过由于初级使用的是JFET，它本身的增益比双极晶体管小，所以40dB的水平就是增益的上限。
    当希望提高增益时，如图3.37所示，可以将第2级达林顿连接以提高视在的庇FE，使得提高整个电路施加负反馈之前的增益。这样，增益的上限差不多能够提高到50～60dB。