第2章曾经讲过“JFET的漏极CC1110F32RSP电流不能够超过IDSS”。不过实际的JFET中能够流过大于IDSS的电流。
    图3. 32列出了N沟JFET 2SK330GR传输特性的实测数据。如图2.7所示，JFET的栅极一沟道间是一个PN结，就是说存在一个二极管。图3.32中，正的VGS值处于这个二极管未导通的范围(VGs<+0.6～+0.7V)，

    这时，有大于IDSS的电流流过漏极。而且在IDSS附近VGS为正的范围内漏极电流对于VGS的变化是线性关系。当然，对于P沟JFET也是同样的（但是注意P沟JFET的VGS的极性不同）。
    这就是说，如果输入信号的振幅小，那么即使Vcs一OV(所谓的零偏置)，JFET也能够正常工作。