在提高hFE的方法中，有一种被称为FM24C64B-GTR达林顿连接的方法。如图5.2所示，将第1级的晶体管电流输出端（即发射极）连接到第2级的电流输入端（即基极），由此hFE变成各自晶体管hFE的乘积(hFEl．hFE2)。
    但是，达林顿连接电路的晶体管处于ON时，基极一发射极间电压降为1.2～1.4V(两个VBE)。因此，在如图5.3所示的推挽达林顿射极跟随器(PushPule Dar-lington Emitter follower)中，使用电特性几乎相同的NPN和PNP型晶体管。正电压时是与NPN型晶体管相互补进行工作的达林顿连接的射极跟随器的偏置电压，为NPN晶体管的两个VBE，即1.2V，负屯压时是与PNP型晶体管相互补进行工作的达林顿连接的射极跟随器的偏置电压，为PNP晶体管的两个VBE，即为1.2V，必须制作总共四个V BE一2.4V的偏置电压。