集电极上流动的电流IC与hFE的关FM24C64C-GTR系表示在图5.4中。由该图可知，在大量集电极电流流动时，矗FE变小。在最大额定电流的1／3左右，hFE的变动小，它表示用一个晶体管进行工作的电流值的限度。

    HFE的变化会产生什么不良的效果呢？随着集电极电流的大小变化，射极跟随器的电流放大度发生了变化。其结果是增大了失真，比设计值提前产生集电极一发射极间的饱和。
    因此，用一个晶体管进行工作的集电极电流的适当值为最大额定电流的1／3左右。要处理比该值大的电流时，必须：
    ①寻找额定电流大的晶体管；
    ②将晶体管并联连接使电流分散。
    虽然①的方法比较好，但是因为处理大电流的晶体管的hFE通常都很小，所以必须增大驱动电流，这样一来，就又增加了驱动级晶体管的发热程度，引起了新的问题。
    此外，即使不考虑发热问题而允许增大驱动电流，仍然还有一个大的问题存在，这就是在晶体管上流过大电沆时，随着集电极损耗——由晶体管产生的压降与流动的电流相乘积——的增加而增大发热。可见，发热是晶体管的大敌。
    将晶体管的尺寸增大，集电极损耗——在产品目录上以PC表示的值也会增加，然而增加是有限的。
    因此，全部集电极损耗不是由一个晶体管来承担，而是将许多个晶体管并联连接，以便发热分散，这是一个很聪明的办法。