图4.21是将迭林顿连接的晶体管MSP430F149IPMR用于射极跟随器使用的例子。达林顿连接是前级晶体管Tri的发射极电流全部成为后级晶体管Tr2的基极电流，所以^FE为^FE1×hFE2 (hFEl：Tri的矗FE，hFE2：Tr2的hFE)。因此，Tri的基极电流可以变得非常小。

                
    但是，晶体管是由基极电流控制集电极电流的电流控制器件，必须有基极电流，所以器件的输入阻抗不可能很大。
    图4.22是前级使用JFET，后级采用晶体管的混合达林顿连接的源极跟随器（射极跟随器？）电路。这个电路是Tr．的源极电流全部成为Tr。的基极电流，所以是达林顿连接形式。
    由于前级采用输入电流几乎为零的FET(JFET的输入电流约为pA～nA量级)，所以电路的输入阻抗可以作的非常大。而且由于Tr。使用晶体管，所以对发射极电流也没有限制(JFET的源极跟随器的输出电流不超过IDSS)。就是说，这个电路是一个兼备了FET的高输入阻抗特性和晶体管的大输出电流特性的电路。