进行必要的验算
发布时间:2012/5/20 19:38:22 访问次数:703
按照式(3.1)用上面的AM26C31IDR阻值讣算其栅极电压VG,得到
这个值很接近前面所计算得到的VG=1.75V。
当然,Ri和R2也应该采用接近的E24数列中的电阻值。由于未必是理想的值(也有电阻本身精度的问题),所以有必要像式(3.18)那样对实际的设定值进行验算(这一点也适用于电路设计的其他部分)。
如果偏离理想值较大,就需要通过重新计算改变电阻值。
图3.7示出了已经求得的各常数和直流电位。可以发现照片2.4~照片2.6中所示各部分实际的直流电位与图3.7的计算值基本上相等。
但是实际实验中使用的FET 2SK184GR的栅极一源极间电压VGS分散值的上限值是-0.4V(参见图3.6),所以VGS一-0.25V与电位的计算值有偏差。不过这个偏差很小,在电路工作所允许的范围之内。
按照式(3.1)用上面的AM26C31IDR阻值讣算其栅极电压VG,得到
这个值很接近前面所计算得到的VG=1.75V。
当然,Ri和R2也应该采用接近的E24数列中的电阻值。由于未必是理想的值(也有电阻本身精度的问题),所以有必要像式(3.18)那样对实际的设定值进行验算(这一点也适用于电路设计的其他部分)。
如果偏离理想值较大,就需要通过重新计算改变电阻值。
图3.7示出了已经求得的各常数和直流电位。可以发现照片2.4~照片2.6中所示各部分实际的直流电位与图3.7的计算值基本上相等。
但是实际实验中使用的FET 2SK184GR的栅极一源极间电压VGS分散值的上限值是-0.4V(参见图3.6),所以VGS一-0.25V与电位的计算值有偏差。不过这个偏差很小,在电路工作所允许的范围之内。
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