C1、C2是隔断栅极或者漏极的直流TPS767D318PWP电压仅允许交流成分通过的电容。它将输入信号与电路、电路与电路连接起来，所以叫做耦合电容。
    如图3.8所示，在Cl与输入阻抗(Ri与R2的并联值)间、C2与输出端负载RL间，分别形成了高通滤波器——仅允许高频通过的滤波器。

    如果Cl和C2值较小，滤波的效果会使低频难以通过，振幅降低。这里取Cl一C2=lOtjtF。

    图3.1所示的电路中，如果设FET的输入阻抗为无限大（前面曾经讲到，由于FET没有栅极电流，所以输入阻抗可以认为无限大），电源交流接GND（相当于电源与GND连接），所以电路的交流输入阻抗就是Ri与R2的并联值Ri∥R2(在该电路中为17.6kQ)。
    因此，C1形成的高通滤波器的截止频率fe（振幅特性降低3dB-即降低11,的频率）为

              
 
    C2形成的高通滤波器的截止频率因输出端连接的负载（例如，次级电路的输入阻抗）而变化，所以必须预先考虑连接什么样的负载。
    这个电路没有具体的设计指标。但是在一般的电路中作为频率特性规定有低频截止频率，所以在实际的电路设计中是根据截止频率fe（与输入阻抗、负载电阻）逆向计算Cl、C2值。