内部气氛种类及来源
发布时间:2012/4/25 19:41:21 访问次数:1620
密封电路内部水汽及残余气氛是CY7C63001C-PXC影响密封混合电路质量与可靠性的重要因素之一．是目前国内普遍存在的问题。有关规定或标准对混合集成电路内部水汽含量及其他残余气氛含量有较详细的规定，如不超过5000ppm。
内部气氛测试的目的，是为了掌握样品内部水汽及其他气氛的含量，以便分析样品的质量和可靠性。测试数据表中水汽及其他气氛主要有：
(1)水 汽
任何密封电子元器件内部都含有水汽。水汽有3个主要来源：①外壳漏气部位渗入的水汽。样品本身气密性低或有泄漏，密封后空气进入。这种情况，会伴随氧气(Oxygen)和氩气(Argon)，经过检漏后，会有氦气(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②内部排放的水汽。在物理参数如时间、温度、压力作用下发生的化学反应，产生水汽。腔体内各种有机材料、陶瓷、金属材料表面吸附的水汽和各种高分子粘结材料分子间隙中含有的各种气体和水汽，随时间和环境温度的变化而不断逸出。有些陶瓷和玻璃封装，使用干燥空气作封装气体，在高温作用下，产生氧化反应，出现大量的水汽和二氧化碳。③封盖操作时，封口箱气氛中的水汽。这部分水汽含量可能较少。
(2)氮 气
氮气是必要的参数。通常采用纯氮气作为封装保护气体，氮气含量应在99%以上。
(3)氧 气
空气中的氧气含量大约在20%。但氧气是一种易反应的气体，在高温条件下，可能使内部材料中碳氢化合物氧化和金属表面氧化，所以应控制氧含量。混合电路规范中未明确规定氧含量，但在半导体分立器件规范中规定了氧含量不允许超过lOOOppm。
(4)氩 气
在纯氮气封装的器件内部氩气含量应该在500ppm以下，在干燥空气中，氩气的含量大约9340ppm。氩气与氧气的比例关系可作为判别样品是否漏气的参考依据之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封装内部材料释放或生成的，它可能是在温度应力作用下，样品内部材料中碳氢化合物氧化的产物，二氧化碳的含量从lOOppm到几个百分点。高含量=氧化碳和水汽，会对暴露的金属化产生腐蚀。
(6)氢 气
通常氢气是低气压或封装后电镀层金属表面释放的气氛。氢气含量大于10%表示密封腔体内部压强较低。氢气在水汽环境中非常活跃，会生成更多混合气氛。氢气对砷化镓微波器件的可靠性有明显不良影响，应严格控制。
(7)氦 气
一般氦气用作检漏气体。有氦气存在并伴随氟碳化合物、高含量的水汽、氧气、氩气，表示样品存在漏气现象。有时也用氮气／氦气混合作为封装气体，氮气含量应在78%以上。宇航级产品要求封口时，封人10%的氦气。
(8)其他残余气氛
残余气氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有机材料、残余溶剂、残余清洗剂等挥发出来的。封口前烘烤工艺的同，挥发释放的气体也不同。环氧材料在高温下会产生氨气(Ammonia)。这些残余气氛在高温下逐渐分解，与水汽作用后形成高酸或高碱环境，对金属部位产生腐蚀作用。
水汽等内部残余气氛的状况对电路的性能、寿命和可靠性影响很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表现在以下方面：造成内部环境的污染、加速腐蚀作用、形成电路的短路或烧毁、电路参数漂移、低温性能恶化等。
内部气氛测试的目的，是为了掌握样品内部水汽及其他气氛的含量，以便分析样品的质量和可靠性。测试数据表中水汽及其他气氛主要有：
(1)水 汽
任何密封电子元器件内部都含有水汽。水汽有3个主要来源：①外壳漏气部位渗入的水汽。样品本身气密性低或有泄漏，密封后空气进入。这种情况，会伴随氧气(Oxygen)和氩气(Argon)，经过检漏后，会有氦气(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②内部排放的水汽。在物理参数如时间、温度、压力作用下发生的化学反应，产生水汽。腔体内各种有机材料、陶瓷、金属材料表面吸附的水汽和各种高分子粘结材料分子间隙中含有的各种气体和水汽，随时间和环境温度的变化而不断逸出。有些陶瓷和玻璃封装，使用干燥空气作封装气体，在高温作用下，产生氧化反应，出现大量的水汽和二氧化碳。③封盖操作时，封口箱气氛中的水汽。这部分水汽含量可能较少。
(2)氮 气
氮气是必要的参数。通常采用纯氮气作为封装保护气体，氮气含量应在99%以上。
(3)氧 气
空气中的氧气含量大约在20%。但氧气是一种易反应的气体，在高温条件下，可能使内部材料中碳氢化合物氧化和金属表面氧化，所以应控制氧含量。混合电路规范中未明确规定氧含量，但在半导体分立器件规范中规定了氧含量不允许超过lOOOppm。
(4)氩 气
在纯氮气封装的器件内部氩气含量应该在500ppm以下，在干燥空气中，氩气的含量大约9340ppm。氩气与氧气的比例关系可作为判别样品是否漏气的参考依据之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封装内部材料释放或生成的，它可能是在温度应力作用下，样品内部材料中碳氢化合物氧化的产物，二氧化碳的含量从lOOppm到几个百分点。高含量=氧化碳和水汽，会对暴露的金属化产生腐蚀。
(6)氢 气
通常氢气是低气压或封装后电镀层金属表面释放的气氛。氢气含量大于10%表示密封腔体内部压强较低。氢气在水汽环境中非常活跃，会生成更多混合气氛。氢气对砷化镓微波器件的可靠性有明显不良影响，应严格控制。
(7)氦 气
一般氦气用作检漏气体。有氦气存在并伴随氟碳化合物、高含量的水汽、氧气、氩气，表示样品存在漏气现象。有时也用氮气／氦气混合作为封装气体，氮气含量应在78%以上。宇航级产品要求封口时，封人10%的氦气。
(8)其他残余气氛
残余气氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有机材料、残余溶剂、残余清洗剂等挥发出来的。封口前烘烤工艺的同，挥发释放的气体也不同。环氧材料在高温下会产生氨气(Ammonia)。这些残余气氛在高温下逐渐分解，与水汽作用后形成高酸或高碱环境，对金属部位产生腐蚀作用。
水汽等内部残余气氛的状况对电路的性能、寿命和可靠性影响很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表现在以下方面：造成内部环境的污染、加速腐蚀作用、形成电路的短路或烧毁、电路参数漂移、低温性能恶化等。
密封电路内部水汽及残余气氛是CY7C63001C-C影响密封混合电路质量与可靠性的重要因素之一．是目前国内普遍存在的问题。有关规定或标准对混合集成电路内部水汽含量及其他残余气氛含量有较详细的规定，如不超过5000ppm。
内部气氛测试的目的，是为了掌握样品内部水汽及其他气氛的含量，以便分析样品的质量和可靠性。测试数据表中水汽及其他气氛主要有：
(1)水 汽
任何密封电子元器件内部都含有水汽。水汽有3个主要来源：①外壳漏气部位渗入的水汽。样品本身气密性低或有泄漏，密封后空气进入。这种情况，会伴随氧气(Oxygen)和氩气(Argon)，经过检漏后，会有氦气(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②内部排放的水汽。在物理参数如时间、温度、压力作用下发生的化学反应，产生水汽。腔体内各种有机材料、陶瓷、金属材料表面吸附的水汽和各种高分子粘结材料分子间隙中含有的各种气体和水汽，随时间和环境温度的变化而不断逸出。有些陶瓷和玻璃封装，使用干燥空气作封装气体，在高温作用下，产生氧化反应，出现大量的水汽和二氧化碳。③封盖操作时，封口箱气氛中的水汽。这部分水汽含量可能较少。
(2)氮 气
氮气是必要的参数。通常采用纯氮气作为封装保护气体，氮气含量应在99%以上。
(3)氧 气
空气中的氧气含量大约在20%。但氧气是一种易反应的气体，在高温条件下，可能使内部材料中碳氢化合物氧化和金属表面氧化，所以应控制氧含量。混合电路规范中未明确规定氧含量，但在半导体分立器件规范中规定了氧含量不允许超过lOOOppm。
(4)氩 气
在纯氮气封装的器件内部氩气含量应该在500ppm以下，在干燥空气中，氩气的含量大约9340ppm。氩气与氧气的比例关系可作为判别样品是否漏气的参考依据之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封装内部材料释放或生成的，它可能是在温度应力作用下，样品内部材料中碳氢化合物氧化的产物，二氧化碳的含量从lOOppm到几个百分点。高含量=氧化碳和水汽，会对暴露的金属化产生腐蚀。
(6)氢 气
通常氢气是低气压或封装后电镀层金属表面释放的气氛。氢气含量大于10%表示密封腔体内部压强较低。氢气在水汽环境中非常活跃，会生成更多混合气氛。氢气对砷化镓微波器件的可靠性有明显不良影响，应严格控制。
(7)氦 气
一般氦气用作检漏气体。有氦气存在并伴随氟碳化合物、高含量的水汽、氧气、氩气，表示样品存在漏气现象。有时也用氮气／氦气混合作为封装气体，氮气含量应在78%以上。宇航级产品要求封口时，封人10%的氦气。
(8)其他残余气氛
残余气氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有机材料、残余溶剂、残余清洗剂等挥发出来的。封口前烘烤工艺的同，挥发释放的气体也不同。环氧材料在高温下会产生氨气(Ammonia)。这些残余气氛在高温下逐渐分解，与水汽作用后形成高酸或高碱环境，对金属部位产生腐蚀作用。
水汽等内部残余气氛的状况对电路的性能、寿命和可靠性影响很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表现在以下方面：造成内部环境的污染、加速腐蚀作用、形成电路的短路或烧毁、电路参数漂移、低温性能恶化等。
内部气氛测试的目的，是为了掌握样品内部水汽及其他气氛的含量，以便分析样品的质量和可靠性。测试数据表中水汽及其他气氛主要有：
(1)水 汽
任何密封电子元器件内部都含有水汽。水汽有3个主要来源：①外壳漏气部位渗入的水汽。样品本身气密性低或有泄漏，密封后空气进入。这种情况，会伴随氧气(Oxygen)和氩气(Argon)，经过检漏后，会有氦气(Helium)和氟碳化合物( Fluorocarbons)。②内部排放的水汽。在物理参数如时间、温度、压力作用下发生的化学反应，产生水汽。腔体内各种有机材料、陶瓷、金属材料表面吸附的水汽和各种高分子粘结材料分子间隙中含有的各种气体和水汽，随时间和环境温度的变化而不断逸出。有些陶瓷和玻璃封装，使用干燥空气作封装气体，在高温作用下，产生氧化反应，出现大量的水汽和二氧化碳。③封盖操作时，封口箱气氛中的水汽。这部分水汽含量可能较少。
(2)氮 气
氮气是必要的参数。通常采用纯氮气作为封装保护气体，氮气含量应在99%以上。
(3)氧 气
空气中的氧气含量大约在20%。但氧气是一种易反应的气体，在高温条件下，可能使内部材料中碳氢化合物氧化和金属表面氧化，所以应控制氧含量。混合电路规范中未明确规定氧含量，但在半导体分立器件规范中规定了氧含量不允许超过lOOOppm。
(4)氩 气
在纯氮气封装的器件内部氩气含量应该在500ppm以下，在干燥空气中，氩气的含量大约9340ppm。氩气与氧气的比例关系可作为判别样品是否漏气的参考依据之一。
(5)二氧化碳
通常二氧化碳是封装内部材料释放或生成的，它可能是在温度应力作用下，样品内部材料中碳氢化合物氧化的产物，二氧化碳的含量从lOOppm到几个百分点。高含量=氧化碳和水汽，会对暴露的金属化产生腐蚀。
(6)氢 气
通常氢气是低气压或封装后电镀层金属表面释放的气氛。氢气含量大于10%表示密封腔体内部压强较低。氢气在水汽环境中非常活跃，会生成更多混合气氛。氢气对砷化镓微波器件的可靠性有明显不良影响，应严格控制。
(7)氦 气
一般氦气用作检漏气体。有氦气存在并伴随氟碳化合物、高含量的水汽、氧气、氩气，表示样品存在漏气现象。有时也用氮气／氦气混合作为封装气体，氮气含量应在78%以上。宇航级产品要求封口时，封人10%的氦气。
(8)其他残余气氛
残余气氛如甲醇、乙醇、丙酮、甲苯等，通常是有机材料、残余溶剂、残余清洗剂等挥发出来的。封口前烘烤工艺的同，挥发释放的气体也不同。环氧材料在高温下会产生氨气(Ammonia)。这些残余气氛在高温下逐渐分解，与水汽作用后形成高酸或高碱环境，对金属部位产生腐蚀作用。
水汽等内部残余气氛的状况对电路的性能、寿命和可靠性影响很大，往往容易造成早期失效和性能劣化。主要表现在以下方面：造成内部环境的污染、加速腐蚀作用、形成电路的短路或烧毁、电路参数漂移、低温性能恶化等。
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