频率特性好的理由
发布时间:2012/5/13 18:00:55 访问次数:754
与共发射极电路相比较,通常共基极FM25V10-GTR电路的频率特性要好些。图6.7是考虑到晶体管内部存在的电阻和电容成分而画出的共基极放大电路。若单纯地考虑,由于非反转放大,晶体管本身的输入电容Ci为(Av -1)倍之后的CEE与CbE。之和(在CCE的两端加上vi的(AV-1)倍的电压,所以发射极看到的电容由于密勒效应成为(AV-1)倍?)。如图6.6所示,可以认为发射极电阻RE与CI形成低通滤波器。
如照片6.3所示,尽管输入了信号,但在发射极上没有出现信号波形。由此可以认为,发射极等效于交流接地(例如,使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态)。
因此,发射极在交流上与GND -样,如图6.7所示,即使在发射极-GND之间连接电容成分CI,也没有与RE形成低通滤波器。
与共发射极电路相比较,通常共基极FM25V10-GTR电路的频率特性要好些。图6.7是考虑到晶体管内部存在的电阻和电容成分而画出的共基极放大电路。若单纯地考虑,由于非反转放大,晶体管本身的输入电容Ci为(Av -1)倍之后的CEE与CbE。之和(在CCE的两端加上vi的(AV-1)倍的电压,所以发射极看到的电容由于密勒效应成为(AV-1)倍?)。如图6.6所示,可以认为发射极电阻RE与CI形成低通滤波器。
如照片6.3所示,尽管输入了信号,但在发射极上没有出现信号波形。由此可以认为,发射极等效于交流接地(例如,使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态)。
因此,发射极在交流上与GND -样,如图6.7所示,即使在发射极-GND之间连接电容成分CI,也没有与RE形成低通滤波器。
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