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输入电容Ci的影响

发布时间:2012/5/13 18:03:54 访问次数:1167

    在此,为了确认共基极的工作,如图6.8所示,在发射FM25V40-GTR极-GND间接上lO)uF的电容来看一下。
    照片6.8是图6.8电路上加了lkHz。的正弦波时的输入输出波形。如果晶体管的输入电容与RE形成低通滤波器,则发射极上连接的lO)uF  电容与RE应该形成低通滤波器。该低通滤波器的截止频率为16Hz(=1/(2 Q×10UF×lkQ)),所以,lkHz的输入信号被充分的衰减,应该不出现输出信号。

                             

    但是,如照片所示,在输出端输出的信号(实际上,发射极阻抗不为O,所以本来的输出电平为5Vp-p,而成为2.8V。在输入输出上产生相位差)。
    由此可以知道,在共基极放大电路中,晶体管的输入电容成为在输入侧不能形成低通滤波器的原因。
    为此,与共射极电路相比较,共基极电路的频率特性变好。还有,如果进行相反的考虑,也可说成是,共基极电路的频率特性是晶体管自身的频率特性,而共射极电路由于在输入侧形成的低通滤波器,自身的频率特性被破坏。

    在此,为了确认共基极的工作,如图6.8所示,在发射FM25V40-GTR极-GND间接上lO)uF的电容来看一下。
    照片6.8是图6.8电路上加了lkHz。的正弦波时的输入输出波形。如果晶体管的输入电容与RE形成低通滤波器,则发射极上连接的lO)uF  电容与RE应该形成低通滤波器。该低通滤波器的截止频率为16Hz(=1/(2 Q×10UF×lkQ)),所以,lkHz的输入信号被充分的衰减,应该不出现输出信号。

                             

    但是,如照片所示,在输出端输出的信号(实际上,发射极阻抗不为O,所以本来的输出电平为5Vp-p,而成为2.8V。在输入输出上产生相位差)。
    由此可以知道,在共基极放大电路中,晶体管的输入电容成为在输入侧不能形成低通滤波器的原因。
    为此,与共射极电路相比较,共基极电路的频率特性变好。还有,如果进行相反的考虑,也可说成是,共基极电路的频率特性是晶体管自身的频率特性,而共射极电路由于在输入侧形成的低通滤波器,自身的频率特性被破坏。

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