用PNP晶体管制作的偏置电路
发布时间:2012/5/11 20:21:47 访问次数:1462
图4.12只是在图4.4设计的电FM24C04C-GTR路的偏置电路部分，它是用PNP晶体管制作的。
射极跟随器的偏置电路只要与射极跟随器部分产生热耦合，使V BE同时变化就可以了，所以使用PNP晶体管是完全没有问题的。
电路本身因发射极电流流动方向不同，与图4.4的偏置电路相比，发射极与集电极变成相反的，但仅仅是V BE的极性不同，设计方法与使用NPN晶体管时完全一样。
图4.12只是在图4.4设计的电FM24C04C-GTR路的偏置电路部分，它是用PNP晶体管制作的。
射极跟随器的偏置电路只要与射极跟随器部分产生热耦合，使V BE同时变化就可以了，所以使用PNP晶体管是完全没有问题的。
电路本身因发射极电流流动方向不同，与图4.4的偏置电路相比，发射极与集电极变成相反的，但仅仅是V BE的极性不同，设计方法与使用NPN晶体管时完全一样。
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