在设计时，对于输入、输出端口，必须遵循KA3843一定的ESD规则。例如，在靠近栅的漏端容易产生ESD功率耗散。在ESD发生时，这一区域变成一个热源，并且可以扩散到接触孔。如果接触孔到结的距离不是足够大，接触孔将会出现尖峰( spi-king)。输出NMOS晶体管的设计将遵循以下规则：
    ①在漏端，N+结边缘到到接触孔的距离(A)应该大于5ym。
    ②在漏端的接触孔下面加入N阱，由于N阱的结深比N+结深，所以避免了从接触孔到衬底的尖锋( spiking)。
    附加掩膜
    在通常CMOS工艺中，淀积完Poly后进行LDD注入，在LDD注入之后生长Spacer(=氧化硅或氮化硅)，然后再进行S、D注入，由于Spacer的阻挡作用，形成了LDD结构。LDD结构虽然改进了热载流子效应，但对提高抗ESD能力是非常不利的。

    加入ESD版可以改进N管的抗ESD能力。其具体做法是在LDD工艺之后加一层ESD注入以提高原LDD区域的浓度，形成HDD，之后再生长Spacer，生长S、D。