CE6232B30M在已经制成的电磁继电器线圈电路内适当接入一些元器件便可达到延时释放的目的。

在电磁铁线圈两端并联电阻Rf,如图3-16(a)所示,在电磁铁线圈两端并联一个电阻Rf,当开关K断开后,线圈中的电流不会立即消失,而是通过Rf按指数曲线缓慢地衰减到零,即

i=IwE-T/T

式中 Iw―K断开前线圈中的稳态电流;

T一放电回路的电时间常数,T=L/(R+Rf)。

延时释放线路(a)并联电阻Rf;(b)并联二极管VD;(c)并联电容C及电阻Rf的串联支路。

加上涡流的影响,磁通衰减得更慢,因此延长了释放触动时间。这种方法的优点是比较简单;缺点是线圈通电工作时Rf也要消耗一部分电能,并且Rf越小,延时作用就越大,Rf消耗功率也越大。

在继电器线圈两端并联二极管VD,这种方法是用二极管VD代替电阻Rf,可以克服并联电阻民时的缺点,如图3-16(b)所示。当线圈正常通电时,二极管VD的反向电阻很大,可以不消耗电能(注意极性).当开关K断开时,在继电器线圈上产生自感电势,使二极管正向偏置,维持电流经二极管VD完成回路,并按指数规律缓慢下降,使继电器延时释放。

在继电器线圈两端并联RfC串联支路,如果与继电器的线圈并联RfC支路,如图3-16(c)所示,也可以达到同样的目的,当开关K断开后,电容c通过Rf经线圈放电,延长了释放触动时间。电阻Rf是为了限制通电时电容器的充电电流,也可延长电容器给线圈的放电过程。

阻尼套筒式延时释放继电器,如果在继电器铁心上套一个导电良好的材料(如铜或铝)制成的阻尼套筒(阻尼是对电流来说的),如图3-17(a)所示,则当K打开后,磁通开始衰减,将会在阻尼套筒内感应产生一个短路环流。环流所产生的磁势延缓了磁通的衰减,使磁通按指数曲线逐渐下降(MCU)连接到TDo、RDI端,当单片机发出“0”时TDo发出0V,在RDI接收到0,3V,单片机读到“0”。

光耦控制的三极管(见图5-15),光耦控制NPN二极管,光耦控制PNP三极管,光耦控制的三极管

DTL与非门电路,DTL与非门电路,如图5-16所示。其工作原理如下。

当A、B、C全接为高电平5V时,二极管VD1~VD3都截止,而VD4、VD5和VT导通,且VT为饱和导通,VL=o.3V,即输出低电平。

A、B、Cl中只要有一个为低电平0.3V时,则VP≈1V.

RT接在控制门电路(74LS00/CD4011)IC-1的输人端,它和电阻R1、R2及RP通过RP的分压调节.使门电路(74LS00/CD4011)IC-1的输人电平为高电平,使门电路(74LS00/CD4011)IC-1输出电平为低电平。

使用时,热敏电阻RT安置于被控设备上,当被控设备温度超过最高设定温度时,由于RT阻值小,通过分压电路的分压,使门电路IC-1输人端的电压变为低电平,经门电路IC-1(7妩S00/CD4011)反相为高电平。该高电平一方面加至多谐振荡器的控制端门电路(74LS00/CD4011)IC-3、IC-4,使多谐振荡器起振,通过放大管VT2放大后,由扬声器发出警笛声.同时也加至VT1的基极使其导通,继电器吸合,通过继电器的常闭触点将被控设各的工作电源断开;另一方面经门电路(74 LS00/CD4011)IC-2反相为低电平后,与发光二极管(LED)构成通路,LED发光指示。

遥控检测器,要快速判断遥控发射器的好坏,可使用遥控检测器,如图5-19所示。如被检测的遥控发射器是好的话,即刻发出声光报警信号。该检测器可用于检测各种型号的彩电,录像机,组合音.