PCI950PTSIMOs管的结构及符号如图4.5,5(a)所示。它是一个N沟道增强型MOs管,有两个多晶硅栅极,控制栅gc和浮置栅gf。浮栅被绝缘的Sio2包围着。编程处理前,浮栅上没有电荷,与普通MOs管一样。当控制栅加正常工作的高电平时,SIMOs管处于导通状态,此时的开启电压为%1,转移特性如图4.5.5(b)所示。编程时漏源间加正电压(大于12Ⅴ),漏极与衬底间的PN结产生雪崩击穿,若同时在控制栅加脉冲电压(幅值大于12Ⅴ),则雪崩产生的高能电子,在栅极电场的作用下,穿过Sio2层注人到浮栅上。编程电压撤除后,因浮栅被绝缘层包围,注入的电子无放电通路,可以长期保留,此时SIMOs管的开启电压升高到7”,特性曲线右移,如图4,5.5(b)所示。因此,控制栅加正常逻辑高电平也不能达到其开启电压,SIMOs管始终截止,相当于断开一样。

擦除的方法是用紫外线或Ⅹ射线照射器件20min,则sio2层中将产生电子一空穴对,为浮栅上的电子提供泄放通道,使之放电,SIMOS管恢复到编程前的状态。

Flotox MOs管开关，Flotox MOS管的结构及符号如图4.5.6所示。它与SIMOS管相似,不同的只是其浮栅与漏区间有一个极薄的氧化层(2×10ˉ:m以下),称为隧道区。当隧道区的电场强度足够大时,漏区与浮栅之间便出现导电隧道,在电场的作用下,电子通过隧道形成电流,这种现象称为隧道效应。同样,编程处理前,浮栅上没有电荷,与普通MOS管一样。编程时源极、漏极均接地,控制栅加20V的脉冲电压,隧道 图4.5.6 Flotox MOS管的结构及符号区产生强电场,吸引漏区的电子通过隧道到达浮栅。撤除编程电压后,浮栅上的电子可以长久保留,此时F1otox MOs管的开启电压升高,在正常逻辑电平下,始终关断。

如果需要擦除编程信息,将管子漏极加20Ⅴ正脉冲电压,控制栅接地,则浮栅上的电子在电场的作用下通过隧道回到漏区,管子恢复到编程前的状态,从而达到擦除编程信息的目的。与SIMOs管相比,Flotox MOs管的编程和擦除都是通过在漏极和控制栅上加脉冲电压,向浮栅注人和清除电荷的速度快、操作简单,用户可以在电路板上实现在线操作。实际上编程和擦除是同时进行的,每次编程时,是以新的信息代替原来的信息。Flotox MOs管也广泛用于各种大规模可编程器件,作为可编程开关。